Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 142 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт57,41 ₽
Сумма861,15 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 142 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 35 — 52,92 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 861,15 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 438,85 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 861,15 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 60 В, выдерживает ток до 55 А и мощность 150 Вт. Выпускается в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и силовой коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Размеры | To 220: A: 4.40-4.60mm; B: 0.70-0.93mm; C: 0.45-0.60mm; D: 8.95-9.35mm; E: 10.00-10.40mm; G: 4.88-5.28mm; L: 15.00-15.85mm; M: 2.40-3.20mm; R: 0.40mm; A1: 2.49-2.69mm; A2: 0.03-0.23mm; B2: 1.14-1.70mm; C2: 1.23-1.36mm; D1: 8.00mm; E1: 8.50mm; L2: 1.27-1.40mm; L3: 1.40-1.75mm; V2: 0-4° |
| Технология | STripFET II |
| Коэф. сниж. | 0.73W/°C |
| Заряд сток-затвор | 17.5nC |
| Полный заряд затвора | 44.5nC typ, 60nC max |
| Forward on voltage | 1.5V max |
| Заряд затвор-исток | 10.5nC |
| Время задержки включения | 20ns |
| Время задержки выключения | 36ns |
| Импульсный ток стока | 200A |
| Source drain current | 50A |
| Время обратного восстановления | 75ns |
| Пороговое напряжение затвора | 2V min, 3V typ, 4V max |
| Входная ёмкость Ciss | 1300pF |
| Напряжение затвор-исток, В | ±20V |
| Выходная ёмкость Coss | 300pF |
| Заряд обратного восстановления | 170nC |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Напряжение сток-исток, В | 60V |
| Прямая крутизна | 18S |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 110W |
| Обратный ток восстановления | 4.5A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Source drain current pulsed | 200A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 50A |
| Описание (англ.) | N-MOS 60V, 55A, 150W |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 35A |
| Энергия одиноч. импульса | 340mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Температура выводов при пайке | 300°C в течение 10 с |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA at 25°C, 10µA at 125°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.36°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 7V/ns |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 105pF |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 0.015Ω typ, 0.018Ω max |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 55 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?