
Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 25Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
104 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:104 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 77,58 |
| от 16 | 76,19 |
| от 32 | 74,32 |
| от 100 | 71,70 |
| от 150 | 68,46 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 800 В, ток до 3 А, мощность рассеивания 25 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220FP. Применяется в импульсных источниках питания и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 32ns |
| Время нарастания | 12ns |
| Channel type | N-channel |
| Корпус | TO-220F |
| Рейтинг ЭСР HBM | 3000V |
| Cross over time | 25ns |
| Коэф. сниж. | 0.21W/°C |
| Dvdt capability | 4.5V/ns |
| Avalanche energy | 190mJ |
| Лавинный ток | 3A |
| Заряд сток-затвор | 11.3nC |
| Вх. емкость | 575pF |
| Рассеиваемая мощность | 25W |
| Полный заряд затвора | 22.5nC |
| Заряд затвор-исток | 4.2nC |
| Выходная емкость | 67pF |
| Время задержки включения | 13ns |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Время задержки выключения | 35ns |
| Напряжение сток-исток | 800V |
| Импульсный ток стока | 12A |
| Время обратного восстановления | 400ns |
| Insulation voltage rms | 2500V |
| Заряд обратного восстановления | 1520µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 2.9S |
| Reverse recovery current | 7.6A |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Длительный ток стока 25°C | 3A |
| Обратная проходная емкость | 13pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP, 25W |
| Непрерывный ток стока 100°C | 1.89A |
| Equivalent output capacitance | 60pF |
| Gate source breakdown voltage | 30V (min) |
| Напряжение пробоя сток-исток | 800V (min) |
| Макс. Rси вкл. | 3.5Ω |
| Drain source on resistance typ | 3Ω |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?