Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
6 351 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 351 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 49,23 |
| от 135 | 45,84 |
| от 270 | 43,57 |
| от 539 | 41,58 |
| от 1 000 | 40,24 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 600 В, ток до 4 А, мощность рассеивания 25 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и блоков питания в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Маркировка | P4NK60ZFP |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 16.5ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 9.5ns |
| Код заказа | STP4NK60ZFP |
| Технология | SuperMESH |
| Cross over time | 19.5ns |
| Коэф. сниж. | 0.2W/°C |
| Gate source esd | 3000V |
| Лавинный ток | 4A |
| Заряд сток-затвор | 9.8nC |
| Вх. емкость | 510pF |
| Рассеиваемая мощность | 25W |
| Полный заряд затвора | 18.8nC typ, 26nC max |
| Forward on voltage | 1.6V |
| Заряд затвор-исток | 3.8nC |
| Выходная емкость | 67pF |
| Время задержки включения | 12ns |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Время задержки выключения | 29ns |
| Drain current pulsed | 16A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Source drain current | 4A |
| Off voltage rise time | 12ns |
| Время обратного восстановления | 400ns |
| Gate threshold voltage | 3V min, 3.75V typ, 4.5V max |
| Заряд обратного восстановления | 1700nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 3S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Reverse recovery current | 8.5A |
| Gate body leakage current | ±10µA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Source drain current pulsed | 16A |
| Drain current continuous 25c | 4A |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Обратная проходная емкость | 13pF |
| Описание (англ.) | N-MOS 600V, 4A, 25W |
| Drain current continuous 100c | 2.5A |
| Equivalent output capacitance | 38.5pF |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| Энергия одиноч. импульса | 120mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 4.5V/ns |
| Static drain source on resistance | 1.76Ω typ, 2Ω max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 50µA |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?