Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 293 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт67,49 ₽
Сумма1 012,35 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 293 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 31 — 62,34 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 012,35 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 287,65 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 1 012,35 ₽
Описание
STP4NK60Z — это N-канальный полевой MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Компонент рассчитан на напряжение 600 В, ток 4 А и мощность 70 Вт. Благодаря технологии SuperMESH обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую устойчивость к лавинному пробою. Применяется в импульсных источниках питания, блоках питания светодиодов и других силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Маркировка | P4NK60Z |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 16.5ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 9.5ns |
| Технология | SuperMESH |
| Применение | Switching applications |
| Cross over time | 19.5ns |
| Коэф. сниж. | 0.56W/°C |
| Энергия лавины | 120mJ |
| Лавинный ток | 4A |
| Заряд сток-затвор | 9.8nC |
| Вх. емкость | 510pF |
| Рассеиваемая мощность | 70W |
| Полный заряд затвора | 18.8nC typ, 26nC max |
| Заряд затвор-исток | 3.8nC |
| Выходная емкость | 67pF |
| Время задержки включения | 12ns |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Время задержки выключения | 29ns |
| Импульсный ток стока | 16A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Source drain voltage | 1.6V |
| Off voltage rise time | 12ns |
| Время обратного восстановления | 400ns |
| Пороговое напряжение затвора | 3V min, 3.75V typ, 4.5V max |
| Заряд обратного восстановления | 1700nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Обратный ток восстановления | 8.5A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±10µA |
| Gate source esd withstand | 3000V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 4A |
| Обратная проходная емкость | 13pF |
| Описание (англ.) | N-MOS 600V, 4A, 70W |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 2.5A |
| Equivalent output capacitance | 38.5pF |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA (max) at 25°C, 50µA at 125°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.78°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 4.5V/ns |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 1.76Ω (typ), 2Ω (max) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?