Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 60Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
159 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:159 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 130,55 |
| от 6 | 128,27 |
| от 11 | 125,19 |
| от 22 | 120,53 |
| от 50 | 113,56 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 800 В, ток до 3 А и мощность 60 Вт в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей напряжения в промышленной электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Channel | N-channel |
| Корпус | TO-220 |
| Особенности | Zener protected, 100% avalanche tested, Industry’s lowest Rds(on) x area, Industry’s best figure of merit (FoM), Ultra low gate charge |
| Тип монтажа | THT |
| Lead count | 3 |
| Технология | MDmesh K5 |
| Артикул | STP4N80K5 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип. время спада | 21 ns |
| Тип. время нарастания | 15 ns |
| Рассеиваемая мощность | 60 W |
| Ширина корпуса | 10.4 mm |
| Package lead pitch | 2.54 mm |
| Gate resistance typ | 15 Ω |
| Package body height | 4.6 mm |
| Package body length | 15.75 mm |
| Drain current pulsed | 12 A |
| Avalanche current max | 1 A |
| Тип. заряд затвор-сток | 7.5 nC |
| Тип. входная емкость | 175 pF |
| Тип. заряд затвора | 10.5 nC |
| Dvdt mosfet ruggedness | 50 V/ns |
| Тип. заряд затвор-исток | 2 nC |
| Выходная емкость тип. | 18 pF |
| Время задержки вкл. тип. | 16.5 ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30 V |
| Макс. темп. хр. | 150 °C |
| Мин. темп. хр. | -55 °C |
| Время задержки выкл. тип. | 36 ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current continuous | 3 A |
| Макс. напряжение сток-исток | 800 V |
| Dvdt peak diode recovery | 4.5 V/ns |
| Макс. темп. перехода | 150 °C |
| Темп. перехода мин. | -55 °C |
| Тип. время восст. | 242 ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5 V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3 V |
| Тип. пороговое Uзи | 4 V |
| Тип. заряд восст. | 1.42 µC |
| Reverse recovery current typ | 12 A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB |
| Avalanche energy single pulse | 74.5 mJ |
| Drain current continuous 100c | 1.7 A |
| Reverse recovery time hot typ | 373 ns |
| Макс. Rси вкл. | 2.5 Ω |
| Drain source on resistance typ | 2.1 Ω |
| Reverse recovery charge hot typ | 1.98 µC |
| Thermal resistance junction pcb | 50 °C/W |
| Reverse recovery current hot typ | 10.5 A |
| Обр. проходная емкость тип. | 0.5 pF |
| Source drain forward voltage typ | 1.5 V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.08 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Equivalent output capacitance time related | 26 pF |
| Equivalent output capacitance energy related | 11 pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?