Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт, 5 Ом
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
500 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт424,36 ₽
Сумма848,72 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии500 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 2 штюрлицам и ИП
от 6 — 400,76 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 848,72 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 451,28 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
2 шт · Склад 13 · 848,72 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 1500 В, ток до 4 А и мощность 160 Вт, сопротивление открытого канала — 5 Ом. Выполнен в стандартном корпусе TO-220. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | N-channel 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH Power MOSFET |
| Артикул | STP4N150 |
| Время спада | 45ns |
| Время нарастания | 30ns |
| Dimensions to220 | D1: 1.27mm; L20: 16.40mm; A max: 4.60mm; A min: 4.40mm; D max: 15.75mm; D min: 15.25mm; E max: 10.40mm; E min: 10mm; F max: 1.32mm; F min: 1.23mm; L max: 14mm; L min: 13mm; B max: 0.88mm; B min: 0.61mm; C max: 0.70mm; C min: 0.48mm; E max: 2.70mm; E min: 2.40mm; H1 max: 6.60mm; H1 min: 6.20mm; J1 max: 2.72mm; J1 min: 2.40mm; L1 max: 3.93mm; L1 min: 3.50mm; B1 max: 1.70mm; B1 min: 1.14mm; E1 max: 5.15mm; E1 min: 4.95mm |
| Лавинный ток IAR | 4A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 9nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 10nC |
| Входная ёмкость Ciss | 1300pF |
| Total dissipation tc25 | 160W |
| Напряжение затвор-исток, В | +/-30V |
| Выходная ёмкость Coss | 120pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 12A |
| Source drain current isd | 4A |
| Общий заряд затвора Qg, макс. | 50nC |
| Общий заряд затвора Qg, тип. | 30nC |
| Задержка включения (td on) | 35ns |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 1500V |
| Время обратного восстановления | 510ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150 C |
| Forward on voltage vsd max | 2V |
| Задержка выключения | 45ns |
| Creepage distance to3pf typ | 5.4mm |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 3uC |
| Breakdown voltage vbrdss min | 1500V |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Drain current continuous tc25 | 4A |
| Drain source voltage vdss max | 1500V |
| Reverse recovery current irrm | 12A |
| Drain current continuous tc100 | 2.5A |
| Reverse recovery time trr tc150 | 615ns |
| Прямая крутизна, Gfs, тип. | 3.5S |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | 3V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | 4V |
| Insulation withstand voltage rms | 3500V |
| Source drain current pulsed isdm | 12A |
| Reverse recovery charge qrr tc150 | 4uC |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 12pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 350mJ |
| Gate body leakage current igss max | +/-100nA |
| Макс. темп. перехода | 150 C |
| Reverse recovery current irrm tc150 | 12.6A |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 0.78 C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62.5 C/W |
| Zero gate voltage drain current idss max | 10uA |
| Static drain source on resistance rds on max | 7 Ohm |
| Static drain source on resistance rds on typ | 5 Ohm |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 max | 500uA |
| Обратное напряжение, В | 1500 |
| Ток, А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?