Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
35 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:35 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 549,79 |
| от 5 | 519,94 |
| от 10 | 495,62 |
| от 19 | 477,56 |
| от 37 | 464,12 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В и токе 34 А, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Тип. заряд затвора | 56nC |
| Rg typ | 4Ω |
| Tf тип. | 6ns |
| Tr тип. | 27ns |
| Вес | — |
| Eas max | 800mJ |
| Iar max | 6A |
| Корпус | TO-220 |
| Qgd тип. | 30nC |
| Qgs тип. | 13nC |
| Макс. Vds | 600V |
| Макс. Vgs | ±25V |
| Тип. Ciss | 2500pF |
| Coss тип. | 120pF |
| Тип. Crss | 3pF |
| Особенности | Fast-recovery body diode, Extremely low gate charge and input capacitance, Low on-resistance, 100% avalanche tested, Extremely high dv/dt ruggedness, Zener-protected |
| Тип монтажа | THT |
| Макс. Ptot | 250W |
| Ток стока импульсный | 136A |
| Rdson max | 0.093Ω |
| Rdson typ | 0.085Ω |
| Td(вкл) тип. | 29ns |
| Размеры | A: 4.40-4.60mm; B: 0.61-0.88mm; C: 0.48-0.70mm; D: 15.25-15.75mm; E: 2.40-2.70mm; F: 1.23-1.32mm; L: 13-14mm; Q: 2.65-2.95mm; B1: 1.14-1.70mm; D1: 1.27mm; E1: 4.95-5.15mm; H1: 6.20-6.60mm; J1: 2.40-2.72mm; L1: 3.50-3.93mm; L20: 16.40mm; L30: 28.90mm; P diameter: 3.75-3.85mm |
| Td(выкл) тип. | 85ns |
| Технология | MDmesh DM2 |
| Vgs порог макс. | 5V |
| Vgs порог мин. | 3V |
| Qrr typ 25c | 0.6µC |
| Trr typ 25c | 120ns |
| Применение | Switching applications, High efficiency converters, Bridge topologies, ZVS phase-shift converters |
| Irrm typ 25c | 10.4A |
| Тип упаковки | TO-220 type A |
| Qrr typ 150c | 2.4µC |
| Trr typ 150c | 240ns |
| Корпус | TO-220AB |
| Irrm typ 150c | 20.5A |
| Ток стока непрерывный 25C | 34A |
| Непрерывный ток 100°C | 21A |
| Dvdt mosfet ruggedness | 50V/ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Dvdt peak diode recovery | 50V/ns |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.50°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?