Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
220 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт127,50 ₽
Сумма1 275,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии220 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 17 — 118,90 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 275,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 025,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 275,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 100 В, ток до 40 А и мощность 150 Вт, сопротивление открытого канала — всего 0,028 Ом. Выполнен в стандартном корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовой коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | P40NF10L |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 24ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 82ns |
| Описание | N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET |
| Размер F | 1.23-1.32mm |
| Размер L | 13-14mm |
| Размер q | 2.65-2.95mm |
| Артикул | STP40NF10L |
| Dimension e1 | 4.95-5.15mm |
| Dimension h1 | 6.20-6.60mm |
| Dimension j1 | 2.40-2.72mm |
| Размер L1 | 3.50-3.93mm |
| Dimension l20 | 16.40mm |
| Dimension l30 | 28.90mm |
| Cross over time | 53ns |
| Коэф. сниж. | 1 W/°C |
| Размер A, макс. | 4.60mm |
| Мин. размер A | 4.40mm |
| Размер B, макс. | 0.88mm |
| Мин. размер B | 0.61mm |
| Макс. размер C | 0.70mm |
| Мин. размер C | 0.49mm |
| Макс. размер d | 15.75mm |
| Мин. размер D | 15.25mm |
| Размер E, макс. | 10.40mm |
| Мин. размер E | 10mm |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Dimension b1 max | 1.70mm |
| Dimension b1 min | 1.15mm |
| Шаг E | 2.40-2.70mm |
| Заряд сток-затвор | 22nC |
| Вх. емкость | 2300pF |
| Forward on voltage | 1.3V |
| Заряд затвор-исток | 12nC |
| Выходная емкость | 290pF |
| Время задержки включения | 25ns |
| Fall time inductive | 29ns |
| Напряжение затвор-исток | ±17V |
| Темп. хранения | -65 to 175°C |
| Время задержки выключения | 64ns |
| Dimension p diameter | 3.75-3.85mm |
| Импульсный ток стока | 160A |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Source drain current | 40A |
| Off voltage rise time | 51ns |
| Время обратного восстановления | 110ns |
| Total dissipation 25c | 150W |
| Заряд затвора макс. | 64nC |
| Тип. заряд затвора | 46nC |
| Заряд обратного восстановления | 467nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 25S |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Обратный ток восстановления | 8A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.7V |
| Source drain current pulsed | 160A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 40A |
| Обратная проходная емкость | 125pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 25A |
| Энергия одиноч. импульса | 430mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Макс. температура пайки выводов | 300°C |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Static drain source on resistance 5v | 0.030Ω |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 10µA |
| Static drain source on resistance 10v | 0.028Ω |
| Static drain source on resistance 5v max | 0.036Ω |
| Сопротивление сток-исток макс. при 10 В | 0.033Ω |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 40 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?