Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 25Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
122 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:122 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 114,08 |
| от 19 | 106,21 |
| от 38 | 99,80 |
| от 100 | 95,01 |
| от 150 | 91,45 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 900 В, токе до 3 А и мощности 25 Вт. Выпускается в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | THT |
| ESD рейтинг | 4kV (HBM) |
| Защита | Zener-protected |
| Технология | SuperMESH |
| Артикул | STP3NK90ZFP |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220F |
| Тип. время спада | 18ns |
| Тип. время нарастания | 7ns |
| Dvdt capability | 4.5V/ns |
| Рассеиваемая мощность | 25W |
| Current drain pulsed | 12A |
| Transconductance typ | 2.7S |
| Voltage drain source | 900V |
| Avalanche current max | 3A |
| Capacitance input typ | 590pF |
| Тип. заряд затвор-сток | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 22.7nC |
| Capacitance output typ | 63pF |
| Тип. заряд затвор-исток | 4.2nC |
| Время задержки вкл. тип. | 18ns |
| Avalanche energy single | 180mJ |
| Время задержки выкл. тип. | 45ns |
| Voltage gate source max | ±30V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Current drain continuous | 3A |
| Тип. время восст. | 510ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Тип. заряд восст. | 2.2µC |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V RMS |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 900V 3A 25W |
| Current drain continuous 100c | 1.89A |
| Gate body leakage current max | ±10µA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 900V |
| Resistance drain source on max | 4.8Ω |
| Resistance drain source on typ | 4.1Ω |
| Capacitance reverse transfer typ | 13pF |
| Source drain forward voltage typ | 1.6V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5°C/W |
| Reverse recovery current peak typ | 8.7A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current max 25c | 1µA |
| Zero gate voltage drain current max 125c | 50µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?