Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 140Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
44 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:44 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 274,77 |
| от 9 | 258,27 |
| от 18 | 244,81 |
| от 35 | 234,81 |
| от 100 | 227,36 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 1500 В и постоянный ток до 2,5 А, мощность рассеивания — 140 Вт. Выполнен в корпусе TO-220 для монтажа в отверстия. Подходит для импульсных источников питания и высоковольтных преобразователей.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Макс. Vds | 1500V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип монтажа | THT |
| Макс. мощность | 140W |
| Rds(вкл) макс. | 9Ω |
| Rds(вкл) тип. | 6Ω |
| Vgs порог макс. | 5V |
| Vgs порог мин. | 3V |
| Vgs(th) тип. | 4V |
| Тип. время спада | 61ns |
| Id pulsed max | 10A |
| Тип. время нарастания | 47ns |
| Id continuous max | 2.5A |
| Turn on delay typ | 24ns |
| Непрерывный ток 100°C | 1.6A |
| Диапазон температур хранения | -50 to 150°C |
| Turn off delay typ | 45ns |
| Avalanche energy max | 450mJ |
| Diode pulsed current | 10A |
| Avalanche current max | 2.5A |
| Тип. заряд затвор-сток | 17nC |
| Тип. входная емкость | 939pF |
| Тип. заряд затвора | 29.3nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 4.6nC |
| Выходная емкость тип. | 102pF |
| Diode continuous current | 2.5A |
| Gate leakage current max | ±100nA |
| Тип. прямое напряжение диода | 1.6V |
| Gate input resistance typ | 4Ω |
| Тип. время восст. | 410ns |
| Operating junction temp max | 150°C |
| Тип. заряд восст. | 2.4μC |
| Forward transconductance typ | 2.6S |
| Reverse recovery current typ | 11.7A |
| Drain leakage current max 25c | 10μA |
| Drain leakage current max 125c | 500μA |
| Reverse recovery time 150c typ | 540ns |
| Reverse recovery charge 150c typ | 3.3μC |
| Обр. проходная емкость тип. | 13.2pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.89°C/W |
| Equivalent output capacitance typ | 100pF |
| Reverse recovery current 150c typ | 12.3A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?