Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 210Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
607 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт250,12 ₽
Сумма1 250,60 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии607 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 16 — 236,65 ₽ (−5%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 250,60 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 049,40 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 250,60 ₽
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В, токе до 29 А и рассеивает мощность до 210 Вт. Выпускается в стандартном корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 73ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 36ns |
| Технология | MDmesh II |
| Артикул | STP34NM60N |
| Применение | Switching applications |
| Заряд сток-затвор | 45nC |
| Вх. емкость | 2722pF |
| Полный заряд затвора | 84nC |
| Заряд затвор-исток | 14nC |
| Выходная емкость | 173pF |
| Время задержки включения | 18ns |
| Время задержки выключения | 104ns |
| Макс. лавинный ток | 7A |
| Equiv capacitance time | 458pF |
| Пороговое напряжение затвора | 2V to 4V |
| Стойкость MOSFET к dv/dt | 50V/ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±25V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed max | 126A |
| Макс. напряжение сток-исток | 600V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Source drain current max | 31.5A |
| Intrinsic gate resistance | 2.9Ω |
| Обратное время восстановления, 25 °C | 412ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Reverse recovery time 150c | 490ns |
| Обратный заряд восстановления, 25 °C | 8µC |
| Общая рассеиваемая мощность при 25 °C | 250W |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 31.5A |
| Reverse recovery charge 150c | 10µC |
| Обратный ток восстановления при 25 °C | 39A |
| Обратная проходная емкость | 1.75pF |
| Прямое напряжение исток-сток | 1.6V |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 600V, 29A, 210W |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 20A |
| Gate body leakage current max | ±100nA |
| Reverse recovery current 150c | 43A |
| Энергия одиноч. импульса | 345mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Макс. Rси вкл. | 0.105Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.092Ω |
| Source drain current pulsed max | 126A |
| Peak diode recovery voltage slope | 15V/ns |
| Thermal resistance junction pcb max | 30°C/W |
| Макс. ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA at 600V, 100µA at 600V 125°C |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 0.5°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62.5°C/W |
| Ток, А | 34 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?