Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 120Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
261 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт251,92 ₽
Сумма1 259,60 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии261 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 10 — 236,58 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 259,60 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 040,40 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 259,60 ₽
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 600 В, ток до 17 А и мощность 120 Вт, выполнен в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Температура хранения | -55 to 150C |
| Серия | MDmesh II |
| Маркировка | 24NM60N |
| Корпус | TO-220 |
| Тип. заряд затвора (Qg) | 44nC |
| Тип. сопротивление затвора | 5Ohm |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип. заряд затвор-сток | 24nC |
| Тип. заряд затвор-исток, Qgs | 7nC |
| Тип. обратный заряд | 4.6uC |
| Время обратного восстановления, тип. | 340ns |
| Макс. напряжение затвор-исток | +/-30V |
| Входная ёмкость, тип. | 1330pF |
| Выходная ёмкость, тип. | 80pF |
| Проходная ёмкость, тип. | 3.2pF |
| Ток утечки сток-исток IDSS, макс. | 1uA |
| Ток затвор-исток, макс. | +/-100nA |
| Обратный ток, тип. (IRRM) | 27A |
| Общая мощность при 25 °C | 125W |
| Упаковка | трубка |
| T f i typ | 37ns |
| T r v typ | 16.5ns |
| Напряжение сток-исток, макс. | 600V |
| V iso rms | 2500V |
| Импульсный ток стока | 68A |
| Тип. время включения | 11.5ns |
| Описание | N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 17 A MDmesh II Power MOSFET |
| Артикул | STP24NM60N |
| Макс. сопротивление сток-исток | 0.19Ohm |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.168Ohm |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 50C/W |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 1C/W |
| Тип. время выключения | 73ns |
| Макс. пороговое напряжение затвор-исток | 4V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-исток | 2V |
| Пороговое напряжение V(GS), тип. | 3V |
| C oss eq typ | 182pF |
| I sdm pulsed | 68A |
| Напряжение пробоя сток-исток, мин. | 600V |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150C |
| V ds at tjmax | 650V |
| Лавинный ток IAR | 6A |
| I sd continuous | 17A |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Q rr at 150c typ | 5.7uC |
| T rr at 150c typ | 404ns |
| V sd forward typ | 1.6V |
| Энергия лавинного пробоя, одиночный импульс | 300mJ |
| I dss at 125c max | 100uA |
| I rrm at 150c typ | 28A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 17A |
| Непрерывный ток стока при 100 °C | 11A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 15V/ns |
| Описание (англ.) | N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 24 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?