Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.055 Ом, 26A,
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
180 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт183,03 ₽
Сумма915,15 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии180 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 8 — 179,04 ₽ (−2%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 915,15 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 384,85 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 915,15 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Модель рассчитана на ток до 26 А и напряжение до 100 В, обладает низким сопротивлением открытого канала 0.055 Ом. Применяется в импульсных источниках питания, DC/DC-преобразователях и схемах управления нагрузкой, обеспечивая высокую эффективность коммутации.
Технические характеристики
| Маркировка | P24NF10 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 20 ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 15 ns |
| Описание | N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET |
| Артикул | STP24NF10 |
| Коэф. сниж. | 0.57 W/°C |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Заряд сток-затвор | 10 nC |
| Вх. емкость | 870 pF |
| Полный заряд затвора | 30 to 41 nC |
| Напряжение сток-затвор | 100V |
| Forward on voltage | 1.5V |
| Заряд затвор-исток | 6 nC |
| Выходная емкость | 125 pF |
| Время задержки включения | 60 ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to 175 °C |
| Время задержки выключения | 50 ns |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 104A |
| Source drain current | 26A |
| Время обратного восстановления | 100 ns |
| Пороговое напряжение затвора | 2 to 4 V |
| Заряд обратного восстановления | 375 nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 10 S |
| Обратный ток восстановления | 7.5A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100 nA |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 9 V/ns |
| Source drain current pulsed | 104A |
| Общая рассеиваемая мощность при 25 °C | 85W |
| Длительный ток стока 25°C | 26A |
| Обратная проходная емкость | 50 pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CHANNEL 100V/0.055 OHM/26A LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER |
| Непрерывный ток стока 100°C | 18A |
| Энергия одиноч. импульса | 220 mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Макс. температура пайки выводов | 300 °C |
| Рабочая температура перехода | -55 to 175 °C |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1 µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.76 °C/W |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 0.055 to 0.060 Ω |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 10 µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?