Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 125Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
432 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:432 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 107,09 |
| от 21 | 99,56 |
| от 50 | 93,40 |
| от 100 | 88,81 |
| от 200 | 85,40 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 650 В, ток до 17 А, мощность рассеивания 125 Вт. Выполнен в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 12ns |
| Время нарастания | 10ns |
| Технология | MDmesh V |
| Корпус | TO-220AB |
| Avalanche energy | 400mJ |
| Dv dt capability | 15V/ns |
| Лавинный ток | 5A |
| Заряд сток-затвор | 23nC |
| Вх. емкость | 1950pF |
| Рассеиваемая мощность | 125W |
| Полный заряд затвора | 50nC |
| Заряд затвор-исток | 13nC |
| Выходная емкость | 46pF |
| Время задержки включения | 37ns |
| Avalanche condition | Tj=25°C, I=I_AR, VDD=50V |
| Drain current pulsed | 68A |
| Напряжение сток-исток | 650V |
| Capacitance condition | VDS=100V, f=1MHz, VGS=0 |
| Напр. диода | 1.5V |
| Gate charge condition | VDD=520V, ID=8.5A, VGS=10V |
| Время обратного восстановления | 294ns |
| Turn off crossing time | 24ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±25V |
| Заряд обратного восстановления | 4µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Reverse recovery current | 28A |
| Switching test condition | VDD=400V, ID=11A, RG=4.7Ω, VGS=10V |
| Gate body leakage current | 100nA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 4V |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Reverse recovery condition | ISD=17A, di/dt=100A/µs, VDD=100V |
| Макс. температура перехода | 150°C |
| Обратная проходная емкость | 3pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Макс. Rси вкл. | 0.179Ω |
| Drain source on resistance min | 0.150Ω |
| Diode forward voltage condition | ISD=17A, VGS=0 |
| Drain current continuous tc 25c | 17A |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Drain current continuous tc 100c | 10.7A |
| Gate threshold voltage condition | VDS=VGS, ID=250µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1°C/W |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 650V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Drain source on resistance condition | VGS=10V, ID=8.5A |
| Zero gate voltage drain current 125c | 100µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?