Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 45Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
304 шт.
Норм. уп.: 4
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:174 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 459,40 |
| от 6 | 433,73 |
| от 12 | 412,82 |
| от 23 | 397,27 |
| от 50 | 385,70 |
Склад 12
В наличии:130 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4
Минимальная партия: 110 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 351,90 |
| от 4 | 281,52 |
| от 40 | 263,05 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В, токе до 20 А и мощности 45 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220FP |
| Макс. Vds | 600V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 11ns |
| Ток стока импульсный | 80A |
| Без свинца | Yes (ECOPACK) |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 20ns |
| Rds(вкл) макс. | 0.29Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.25Ω |
| Корпус | TO-220F |
| Тип. время спада | 11ns |
| Тип. время нарастания | 20ns |
| Коэф. сниж. | 0.36W/°C |
| Dvdt capability | 15V/ns |
| Gate resistance | 1.6Ω |
| Package marking | P20NM60FP |
| Dv dt capability | 15V/ns |
| Лавинный ток | 10A |
| Заряд сток-затвор | 20nC |
| Рассеиваемая мощность | 45W |
| Макс. пороговое Vgs | 5V |
| Мин. пороговое Vgs | 3V |
| Заряд затвор-исток | 10nC |
| Напр. изоляции | 2500V RMS |
| Время задержки включения | 25ns |
| Id continuous tc25c | 20A |
| Время задержки выключения | 42ns |
| Current drain pulsed | 80A |
| Id continuous tc100c | 12.6A |
| Voltage drain source | 600V |
| Avalanche current max | 10A |
| Capacitance input typ | 1500pF |
| Gate charge total max | 54nC |
| Gate charge total typ | 39nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 20nC |
| Тип. входная емкость | 1500pF |
| Заряд затвора макс. | 54nC |
| Тип. заряд затвора | 39nC |
| Capacitance output typ | 350pF |
| Тип. заряд затвор-исток | 10nC |
| Выходная емкость тип. | 350pF |
| Rds on test conditions | Vgs=10V, Id=10A |
| Время задержки вкл. тип. | 25ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Power dissipation tc25c | 45W |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Время задержки выкл. тип. | 42ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Current drain continuous | 20A |
| Прямая крутизна | 11S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Напр. диода макс. | 1.5V |
| Gate input resistance typ | 1.6Ω |
| Reverse recovery time 25c | 390ns |
| Тип. время восст. | 390ns |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 4V |
| Reverse recovery time 150c | 510ns |
| Reverse recovery charge 25c | 5µC |
| Тип. заряд восст. | 5µC |
| Source drain current pulsed | 80A |
| Forward transconductance typ | 11S |
| Reverse recovery charge 150c | 6.5µC |
| Reverse recovery current 25c | 25A |
| Reverse recovery current typ | 25A |
| Source drain forward voltage | 1.5V |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 600V, 20A, 45W |
| Avalanche energy single pulse | 650mJ |
| Equivalent output capacitance | 215pF |
| Reverse recovery current 150c | 26A |
| Resistance drain source on max | 0.29Ω |
| Resistance drain source on typ | 0.25Ω |
| Source drain current continuous | 20A |
| Capacitance reverse transfer typ | 35pF |
| Current drain continuous at 100c | 12.6A |
| Обр. проходная емкость тип. | 35pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.8°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -65°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction case max | 2.8°C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?