Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 15А 35Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
24 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:24 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 228,70 |
| от 4 | 225,14 |
| от 7 | 220,39 |
| от 14 | 213,35 |
| от 28 | 202,19 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 400 В, выдерживает ток до 15 А и мощность 35 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Напряжение сток-исток | 400V |
| Серия | SuperMESH |
| Корпус | TO-220FP |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 13ns |
| Ток стока импульсный | 60A |
| Время нарастания | 23ns |
| Размеры | To 220fp: A: 4.4-4.6mm; B: 2.5-2.7mm; D: 2.5-2.75mm; E: 0.45-0.7mm; F: 0.75-1mm; G: 4.95-5.2mm; H: 10-10.4mm; F1: 1.15-1.5mm; F2: 1.15-1.5mm; G1: 2.4-2.7mm; L2: 16mm; L3: 28.6-30.6mm; L4: 9.8-10.6mm; L5: 2.9-3.6mm; L6: 15.9-16.4mm; L7: 9-9.3mm; Ø: 3-3.2mm |
| Rds(вкл) макс. | 0.25Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.23Ω |
| Применение | High current, high speed switching, off-line power supplies, adaptors, PFC, lighting |
| Тип монтажа | THT |
| Cross over time | 25ns |
| Коэф. сниж. | 0.28W/°C |
| Dvdt capability | 4.5V/ns |
| Avalanche energy | 450mJ |
| Dv dt capability | 4.5V/ns |
| Лавинный ток | 15A |
| Заряд сток-затвор | 35nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 15A |
| Вх. емкость | 1900pF |
| Макс. R вкл. | 0.25Ω |
| On resistance typ | 0.23Ω |
| Рассеиваемая мощность | 35W |
| Полный заряд затвора | 65nC |
| Заряд затвор-исток | 13nC |
| Непрерывный ток 100°C | 9.4A |
| Выходная емкость | 271pF |
| Время задержки включения | 25ns |
| Gate source esd hbm | 4500V |
| Защита | Built-in back-to-back Zener diodes for ESD and voltage transient protection |
| Время задержки выключения | 55ns |
| Dimensions pin pitch | 4.95-5.2mm |
| Drain current pulsed | 60A |
| Напряжение сток-исток | 400V |
| Gate charge total qg | 65nC |
| Source drain current | 15A |
| Ширина корпуса | 10-10.4mm |
| Напряжение ЭСР | 4500V |
| Forward voltage diode | 1.6V |
| Gate drain charge qgd | 35nC |
| Off voltage rise time | 12ns |
| Время обратного восстановления | 332ns |
| Высота корпуса | 4.4-4.6mm |
| Длина корпуса | 28.6-30.6mm |
| Gate source charge qgs | 13nC |
| Input capacitance ciss | 1900pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Output capacitance coss | 271pF |
| Заряд обратного восстановления | 2650nC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Прямая крутизна | 10.6S |
| Reverse recovery current | 16A |
| Gate body leakage current | ±10µA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Source drain current pulsed | 60A |
| Drain current continuous 25c | 15A |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Обратная проходная емкость | 63pF |
| Source drain forward voltage | 1.6V |
| Avalanche energy single pulse | 450mJ |
| Drain current continuous 100c | 9.4A |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| On resistance test conditions | VGS=10V, ID=7.5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 400V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.6°C/W |
| Reverse transfer capacitance crss | 63pF |
| Max lead temperature for soldering | 300°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 50µA |
| Equivalent output capacitance coss eq | 175pF |
| Напряжение, В | 400 |
| Ток, А | 17 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?