Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
139 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт104,05 ₽
Сумма1 040,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии139 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 22 — 96,67 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 040,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 259,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 040,50 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 60 В и ток до 16 А, выпускается в корпусе TO-220. Работает в широком диапазоне температур от -55 до +175 °C. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Серия | STripFET II |
| Ecopack | Да |
| Маркировка | P16NF06 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Код заказа | STP16NF06 |
| Описание | N-channel 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET |
| Артикул | STP16NF06 |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 18 ns |
| Стандарт JEDEC | JESD97 |
| Коэф. сниж. | 0.3 W/degC |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Gfs test condition | VDS = 15V, ID = 8A |
| Условия измерения VSD | ISD = 16A, VGS = 0 |
| Diode test condition | ISD = 15A, di/dt = 100A/us, VDD = 30V, Tj = 150 degC |
| Общий заряд затвора (Qg) | 10 nC |
| Лавинный ток IAR | 16A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 3.5 nC |
| Условие измерения сопротивления сток-исток | VGS = 10V, ID = 8A |
| Forward on voltage vsd | 1.3V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 3.5 nC |
| Входная ёмкость Ciss | 315 pF |
| Total dissipation tc25 | 45W |
| Напряжение затвор-исток, В | +/-20V |
| Выходная ёмкость Coss | 70 pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 64A |
| Пиковая скорость восстановления диода, В/мкс | 20 V/ns |
| Source drain current isd | 16A |
| Условия испытания переключения | VDD = 30V, ID = 8A, RG = 4.7 ohm, VGS = 10V |
| Задержка включения (td on) | 7 ns |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 60V |
| Время обратного восстановления | 50 ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175 degC |
| Условия измерения емкости | VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0 |
| Условия измерения заряда затвора | VDD = 48V, ID = 16A, VGS = 10V |
| Задержка выключения | 17 ns |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 88 nC |
| Прямая крутизна (gfs) | 6.5 S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Drain current continuous tc25 | 16A |
| Reverse recovery current irrm | 3.5 A |
| Drain current continuous tc100 | 11A |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | +/-100 nA |
| Макс. температура пайки выводов | 300 degC |
| Source drain current pulsed isdm | 64A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.33 degC/W |
| Пороговое напряжение Vgs(th), макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора, В | 2V |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 30 pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 130 mJ |
| Макс. рабочая температура перехода | 175 degC |
| Lead free second level interconnect | Да |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 degC/W |
| Условия измерения порогового напряжения | VDS = VGS, ID = 250uA |
| Рабочая температура | -55...+175C |
| Drain source voltage vdss test condition | VGS = 0, ID = 250uA |
| Zero gate voltage drain current idss max | 1 uA |
| Static drain source on resistance rds on max | 0.1 ohm |
| Static drain source on resistance rds on typ | 0.08 ohm |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 max | 10 uA |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 16 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?