Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 90Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 158 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт305,95 ₽
Сумма1 529,75 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 158 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 10 — 297,15 ₽ (−3%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 529,75 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 770,25 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 529,75 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 650 В, токе до 12 А и мощности 90 Вт. Выполнен в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Маркировка | 16N65M5 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Технология | MDmesh V |
| Crossing time | 8ns |
| Лавинный ток | 4A |
| Current fall time | 6ns |
| Заряд сток-затвор | 12nC |
| Вх. емкость | 1250pF |
| Рассеиваемая мощность | 25W |
| Полный заряд затвора | 31nC |
| Voltage rise time | 7ns |
| Forward on voltage | 1.5V |
| Заряд затвор-исток | 8nC |
| Выходная емкость | 30pF |
| Voltage delay time | 25ns |
| Импульсный ток стока | 48A |
| Source drain current | 12A |
| Время обратного восстановления | 300ns |
| Пороговое напряжение затвора | 3V to 5V |
| Напряжение затвор-исток, В | ±25V |
| Заряд обратного восстановления | 3.5µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Напряжение сток-исток, В | 650V |
| Обратный ток восстановления | 23A |
| Ток утечки затвор-подложка | 100nA |
| Intrinsic gate resistance | 2Ω |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Reverse recovery time 150c | 350ns |
| Source drain current pulsed | 48A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 12A |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Reverse recovery charge 150c | 4µC |
| Обратная проходная емкость | 3pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 7.3A |
| Reverse recovery current 150c | 24A |
| Энергия одиноч. импульса | 200mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 650V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.38°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 15V/ns |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 0.230Ω (typ), 0.279Ω (max) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Equivalent capacitance time related | 100pF |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 100µA |
| Equivalent capacitance energy related | 30pF |
| Maximum lead temperature for soldering | 300°C |
| Напряжение, В | 650 |
| Ток, А | 16 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?