+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STP15NK50ZFP
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 40Вт

Артикул:773934
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
25 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:25 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 196,61
от 894,77
от 1592,25
от 3088,42
от 5082,96
Описание

Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 500 В, ток до 14 А и мощность 40 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220F. Оснащён встроенной защитой от пробоя и низким сопротивлением открытого канала. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипN-channel MOSFET
КорпусTO-220FP (fully insulated)
Тип монтажаTHT
Время спада15ns
Время нарастания23ns
КорпусTO-220F
Задержка включения20ns
Задержка выключения62ns
Avalanche energy300mJ
Resistance ds on0.34Ω max (typ 0.30Ω at Vgs=10V, Id=7A)
Лавинный ток14A
Заряд сток-затвор40nC
Вх. емкость2260pF (at Vds=25V, f=1MHz)
Рассеиваемая мощность40W
Полный заряд затвора76nC typ, 106nC max
Заряд затвор-исток15nC
Выходная емкость264pF (at Vds=25V, f=1MHz)
Current drain pulsed56A
Voltage drain source500V
Напр. диода1.6V max (Isd=14A, Vgs=0)
Время обратного восстановления428ns (di/dt=100A/µs, Tj=150°C)
Gate threshold voltage3V min, 3.75V typ, 4.5V max
Напряжение затвор-исток макс.±30V
Заряд обратного восстановления4.2µC (di/dt=100A/µs, Tj=150°C)
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-50°C
Тип упаковкиTube (туба)
Current drain continuous14A at Tc=25°C, 8.8A at Tc=100°C
Макс. раб. темп.150°C
Мин. раб. темп.-50°C
Обратная проходная емкость64pF (at Vds=25V, f=1MHz)
Описание (англ.)N-CHANNEL 500V, 0.30 OHM, 14A, 40W ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
Тепловое сопр. переход-корпус3.1°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда62.5°C/W (for TO-220, similar for TO-220FP)

Заметили ошибку в описании или параметрах?