Документация
Транзистор полевой STP14NK60ZFP / N-канал, TO-220F, 13.5А, 600В
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
204 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:204 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 364,41 |
| от 7 | 343,57 |
| от 13 | 326,60 |
| от 26 | 313,98 |
| от 50 | 304,59 |
Описание
Транзистор полевой STP14NK60ZFP от STMicroelectronics — мощный N-канальный MOSFET в изолированном корпусе TO-220F. Рассчитан на ток до 13.5 А и напряжение сток-исток 600 В, что делает его подходящим для высоковольтных импульсных источников питания и силовой электроники. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала и встроенным защитным диодом.
Технические характеристики
| Маркировка | P14NK60Z |
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Технология | SuperMESH |
| Описание | N-channel 600 V, 0.45 Ω typ., 13.5 A SuperMESH Power MOSFET |
| Артикул | STP14NK60ZFP |
| Channel type | N-channel |
| Fall time tf | 13ns |
| Rise time tr | 18ns |
| Fall time tf 2 | 9.5ns |
| Коэф. сниж. | 1.28W/°C |
| Cross over time tc | 22ns |
| Esd gate source hbm | 4kV |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Avalanche energy eas | 300mJ |
| Total gate charge qg | 75nC |
| Avalanche current ias | 12A |
| Gate drain charge qgd | 38.6nC |
| Forward on voltage vsd | 1.6V |
| Gate source charge qgs | 13.2nC |
| Input capacitance ciss | 2220pF |
| Drain gate voltage vdgr | 600V |
| Gate source voltage vgs | ±30V |
| Output capacitance coss | 240pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 54A |
| Drain source voltage vds | 600V |
| Source drain current isd | 12A |
| Turn on delay time td on | 26ns |
| Dv dt peak diode recovery | 4.5V/ns |
| Reverse recovery time trr | 490ns |
| Turn off delay time td off | 62ns |
| Reverse recovery charge qrr | 4.7µC |
| Total power dissipation tc25 | 160W |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP, 40W |
| Drain current continuous tc25 | 13.5A |
| Off voltage rise time tr voff | 12ns |
| Reverse recovery current irrm | 19.3A |
| Drain current continuous tc100 | 8.5A |
| Gate body leakage current igss | ±10µA |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Reverse recovery time trr tj150 | 664ns |
| Gate threshold voltage vgsth max | 4.5V |
| Gate threshold voltage vgsth min | 3V |
| Gate threshold voltage vgsth typ | 3.75V |
| Source drain current pulsed isdm | 48A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.78°C/W |
| Reverse recovery charge qrr tj150 | 6.8µC |
| Reverse transfer capacitance crss | 57pF |
| Reverse recovery current irrm tj150 | 20.5A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Equivalent output capacitance cosseq | 122pF |
| Gate source breakdown voltage vbrgso | 30V |
| Zero gate voltage drain current idss | 1µA |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 600V |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 | 50µA |
| Static drain source on resistance rds on max | 0.5Ω |
| Static drain source on resistance rds on typ | 0.45Ω |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 14 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?