Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
94 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:94 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 285,04 |
| от 9 | 268,01 |
| от 17 | 254,13 |
| от 34 | 243,81 |
| от 100 | 236,13 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 75 В и ток до 120 А, отличается низким сопротивлением открытого канала 0,0065 Ом. Выполнен в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для мощных импульсных источников питания и силовой коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Макс. Vds | 75V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | THT |
| Dvdt peak | 10 V/ns |
| Время спада | 90ns |
| Ток стока импульсный | 480A |
| Время нарастания | 140ns |
| Rds(вкл) макс. | 0.0075Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.0065Ω |
| Технология | STripFET III |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Корпус | TO-220AB |
| Коэф. сниж. | 2.08 W/°C |
| Avalanche energy | 750mJ |
| Ток стока непрерывный 25C | 120A |
| Непрерывный ток 100°C | 100A |
| Размеры упаковки | A max: 4.6mm; A min: 4.4mm; B max: 0.93mm; B min: 0.7mm; C max: 0.6mm; C min: 0.45mm; A1 max: 2.69mm; A1 min: 2.49mm; A2 max: 0.23mm; A2 min: 0.03mm; B2 max: 1.7mm; B2 min: 1.14mm; C2 max: 1.36mm; C2 min: 1.23mm |
| Время задержки включения | 30ns |
| Время задержки выключения | 130ns |
| Transconductance typ | 160S |
| Capacitance input typ | 5000pF |
| Diode test conditions | ISD=120A, di/dt=100A/µs, VDD=35V, Tj=150°C |
| Тип. заряд затвор-сток | 70nC |
| Мощн. рас. 25°C | 310W |
| Заряд затвора макс. | 218nC |
| Тип. заряд затвора | 160nC |
| Capacitance output typ | 960pF |
| Тип. заряд затвор-исток | 28nC |
| Rds on test conditions | VGS=10V, ID=70A |
| Lead soldering duration | 10s |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Source drain voltage max | 1.5V |
| Avalanche test conditions | Tj=25°C, ID=60A, VDD=30V |
| Тип. время восст. | 115ns |
| Switching test conditions | VDD=38V, ID=70A, RG=4.7Ω, VGS=10V |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Условия теста емкости | VDS=25V, f=1MHz, VGS=0 |
| Gate charge test conditions | VDD=60V, ID=120A, VGS=10V |
| Тип. заряд восст. | 450nC |
| Reverse recovery current typ | 8A |
| Описание (англ.) | N-CHANNEL 75V - 0.0065OHM -120A STRIPFET II POWER MOSFET |
| Capacitance reverse transfer typ | 310pF |
| Transconductance test conditions | VDS=15V, ID=70A |
| Source drain voltage test conditions | ISD=120A, VGS=0 |
| Thermal resistance junction case max | 0.48 °C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 62.5 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?