Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
61 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт135,50 ₽
Сумма1 355,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии61 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 17 — 126,36 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 355,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 945,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 355,00 ₽
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 600 В и ток до 11 А, выпускается в стандартном корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и схем силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 10ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 8ns |
| Технология | MDmesh II |
| Описание | N-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET |
| Артикул | STP13NM60N |
| Тип канала | N-канальный |
| Лавинный ток | 3.5A |
| Заряд сток-затвор | 14nC |
| Вх. емкость | 790pF |
| Полный заряд затвора | 27nC |
| Forward on voltage | 1.5V |
| Заряд затвор-исток | 4nC |
| Выходная емкость | 60pF |
| Время задержки включения | 3ns |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Время задержки выключения | 30ns |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Импульсный ток стока | 44A |
| Source drain current | 11A |
| Входное сопротивление затвора | 4.7Ω |
| Время обратного восстановления | 230ns |
| Заряд обратного восстановления | 2µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 650V |
| Обратный ток восстановления | 18A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±0.1µA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. пороговое Uзи | 3V |
| Reverse recovery time 150c | 290ns |
| Source drain current pulsed | 44A |
| Общая рассеиваемая мощность при 25 °C | 90W |
| Длительный ток стока 25°C | 11A |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Reverse recovery charge 150c | 190µC |
| Обратная проходная емкость | 3.6pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 |
| Непрерывный ток стока 100°C | 6.93A |
| Equivalent output capacitance | 135pF |
| Reverse recovery current 150c | 17A |
| Энергия одиноч. импульса | 200mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.39°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 15V/ns |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 100µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.36Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.28Ω |
| Ток, А | 13 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?