Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 160Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
250 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт285,58 ₽
Сумма1 427,90 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии250 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 8 — 268,88 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 427,90 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 872,10 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 427,90 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 500 В, ток до 12 А и мощность 160 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Ecopack | Lead-free second level interconnect |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Кол-во выводов | 3 |
| Rds(вкл) тип. | 0.30Ohm |
| Технология | MDmesh |
| Описание | N-channel 550V MDmesh Power MOSFET |
| Артикул | STP12NM50FP |
| Idss at 125c | 10uA |
| Время нарастания | 10ns |
| Коэф. сниж. | 0.28W/C |
| Package depth d | 2.5 to 2.75mm |
| Ширина корпуса B | 2.5 to 2.7mm |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Высота корпуса A | 4.4 to 4.6mm |
| Темп. хранения | -65 to 150C |
| Общий заряд затвора (Qg) | 39nC |
| Лавинный ток IAS | 6A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 18nC |
| Forward on voltage vsd | 1.5V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 8nC |
| Входная ёмкость Ciss | 1000pF |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 35W |
| Напряжение затвор-исток, В | +/-30V |
| Выходная ёмкость Coss | 250pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 48A |
| Входное сопротивление затвора Rg | 1.6Ohm |
| Source drain current isd | 11A |
| Общий заряд затвора Qg, тип. | 28nC |
| Задержка включения (td on) | 20ns |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 550V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 15V/ns |
| Прямая крутизна (gfs) | 5.5S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 500V 12A |
| Drain current continuous tc25 | 12A |
| Drain source voltage at tjmax | 550V |
| Reverse recovery time trr 25c | 270ns |
| Drain current continuous tc100 | 7.5A |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | +/-100nA |
| Max lead soldering temperature | 300C |
| Рабочая температура перехода | -65 to 150C |
| Reverse recovery time trr 150c | 340ns |
| Insulation withstand voltage dc | 2500V |
| Reverse recovery charge qrr 25c | 2.23uC |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | 3V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | 4V |
| Reverse recovery charge qrr 150c | 3uC |
| Source drain current pulsed isdm | 48A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.57C/W |
| Drain source on resistance rds on | 0.35Ohm |
| Reverse recovery current irrm 25c | 16.5A |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 20pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 400mJ |
| Reverse recovery current irrm 150c | 18A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5C/W |
| Equivalent output capacitance cosseq | 90pF |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | 1uA |
| Напряжение пробоя сток-исток, Vbrdss | 500V |
| Рабочая температура | -55...+175C |
| Обратное напряжение, В | 500 |
| Ток, А | 12 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?