Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110А 300Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
300 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт233,17 ₽
Сумма1 165,85 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии300 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 10 — 218,99 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 165,85 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 134,15 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 165,85 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 100 В, ток до 110 А и мощность 300 Вт, выпускается в корпусе TO-220. Подходит для мощных импульсных источников питания и силовой коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | P120NF10 |
| Корпус | TO-220 |
| Упаковка | трубка |
| Vbr dss | 100V |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | STP120NF10 |
| Время спада | 68ns |
| Время нарастания | 90ns |
| Rds(вкл) макс. | 10.5mΩ |
| Rds(вкл) тип. | 9.0mΩ |
| Технология | STripFET II |
| Применение | Switching applications |
| Тип канала | N-канальный |
| Температура хранения | -55 to 175°C |
| Dvdt capability | 10V/ns |
| Энергия лавины | 550mJ |
| Условия Rds(on) | VGS=10V, ID=60A |
| Заряд сток-затвор | 64nC |
| Вх. емкость | 5200pF |
| Vbr dss condition | VGS=0V, ID=250μA |
| Заряд затвор-исток | 32nC |
| Выходная емкость | 785pF |
| Время задержки включения | 25ns |
| Avalanche condition | Starting Tj=25°C, ID=60A, VDD=50V |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Время задержки выключения | 132ns |
| Импульсный ток стока | 440A |
| Source drain current | 110A |
| Условия измерения емкости | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz |
| Напр. диода | 1.3V |
| Gate charge condition | VDD=80V, ID=120A, VGS=0 to 10V |
| Мощн. рас. 25°C | 312W |
| Время обратного восстановления | 152ns |
| Заряд затвора макс. | 233nC |
| Тип. заряд затвора | 172nC |
| Рабочая температура перехода | -55 to 175°C |
| Заряд обратного восстановления | 760nC |
| Zero gate drain leakage | 1μA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Diode recovery condition | ISD=120A, di/dt=100A/μs, VDD=40V, Tj=150°C |
| Обратный ток восстановления | 10A |
| Switching times condition | VDD=50V, ID=60A, RG=4.7Ω, VGS=10V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Source drain current pulsed | 440A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 110A |
| Обратная проходная емкость | 325pF |
| Zero gate drain leakage 125c | 10μA |
| Описание (англ.) | N-MOS 100V, 110A, 300W |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 77A |
| Diode forward voltage condition | ISD=120A, VGS=0V |
| Gate threshold voltage condition | VDS=VGS, ID=250μA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.48°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 120 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?