Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 30Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
72 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:65 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 89,30 |
| от 25 | 82,80 |
| от 50 | 77,49 |
| от 100 | 73,53 |
| от 200 | 70,56 |
Склад 12
В наличии:7 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 2000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 65,21 |
| от 200 | 60,27 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 500 В, ток до 10 А и мощность 30 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и схем силовой электроники.
Технические характеристики
| ЭСР HBM | 4000V |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | THT |
| Без свинца | Да |
| Корпус | TO-220F |
| Тип. время спада | 15ns |
| Тип. время нарастания | 18ns |
| Dv dt capability | 4.5V/ns |
| Cross over time typ | 27ns |
| Current drain pulsed | 40A |
| Avalanche current max | 10A |
| Тип. заряд затвор-сток | 25nC |
| Тип. входная емкость | 1390pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 30W |
| Заряд затвора макс. | 68nC |
| Тип. заряд затвора | 49nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 10nC |
| Выходная емкость тип. | 173pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14.5ns |
| Время задержки выкл. тип. | 41ns |
| Voltage gate source max | ±30V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Voltage drain source max | 500V |
| Напр. диода макс. | 1.6V |
| Тип. время восст. | 308ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Тип. заряд восст. | 2.4µC |
| Current drain continuous 25c | 10A |
| Reverse recovery current typ | 16A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Avalanche energy single pulse | 190mJ |
| Current drain continuous 100c | 6.3A |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| Макс. Rси вкл. | 0.52Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.48Ω |
| Обр. проходная емкость тип. | 42pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 4.2°C/W |
| Breakdown voltage drain source min | 500V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?