Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 30Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
6 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 166,97 |
| от 9 | 164,53 |
| от 17 | 161,39 |
| от 34 | 157,08 |
| от 100 | 151,28 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 400 В, ток до 9 А и мощность 30 Вт. Выпускается в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | SuperMESH |
| Маркировка | P11NK40ZFP |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Код заказа | STP11NK40ZFP |
| Описание | N-channel 400 V, 0.49 Ohm, 9 A, TO-220FP, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET |
| Артикул | STP11NK40ZFP |
| Fall time tf | 18ns |
| Rise time tr | 20ns |
| Коэф. сниж. | 0.24W/C |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Cross over time tc | 30ns |
| Gfs test condition | VDS=15V, ID=4.5A |
| Vsd test condition | ISD=9A, VGS=0 |
| Gate source esd hbm | 3500V |
| Темп. хранения | -55 to 150C |
| Total gate charge qg | 32nC |
| Avalanche current iar | 9A |
| Gate drain charge qgd | 18.5nC |
| Rds on test condition | VGS=10V, ID=4.5A |
| Fall time tf switching | 17ns |
| Forward on voltage vsd | 1.6V |
| Gate source charge qgs | 6nC |
| Input capacitance ciss | 930pF |
| Power dissipation tc25 | 30W |
| Drain gate voltage vdgr | 400V |
| Gate source voltage vgs | +/-30V |
| Output capacitance coss | 140pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 36A |
| Source drain current isd | 9A |
| Switching test condition | VDD=200V, ID=4.5A, RG=4.7Ohm, VGS=10V |
| Turn on delay time td on | 20ns |
| Drain source voltage vdss | 400V |
| Dv dt peak diode recovery | 4.5V/ns |
| Reverse recovery time trr | 225ns |
| Capacitance test condition | VDS=25V, f=1MHz, VGS=0 |
| Gate charge test condition | VDD=320V, ID=9A, VGS=10V |
| Turn off delay time td off | 40ns |
| Reverse recovery charge qrr | 1.6uC |
| Forward transconductance gfs | 5.8S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Drain current continuous tc25 | 9A |
| Gate threshold test condition | VDS=VGS, ID=100uA |
| Off voltage rise time tr voff | 15ns |
| Reverse recovery current irrm | 14A |
| Drain current continuous tc100 | 5.67A |
| Gate body leakage current igss | +/-10uA |
| Max lead soldering temperature | 300C |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150C |
| Insulation withstand voltage dc | 2500V |
| Reverse recovery test condition | ISD=9A, di/dt=100A/us, VDD=45V, Tj=150C |
| Gate source zener test condition | Igs=+/-1mA (open drain) |
| Gate threshold voltage vgsth max | 4.5V |
| Gate threshold voltage vgsth min | 3V |
| Gate threshold voltage vgsth typ | 3.75V |
| Source drain current pulsed isdm | 36A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 4.2C/W |
| Reverse transfer capacitance crss | 30pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 190mJ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5C/W |
| Zero gate voltage drain current idss | 1uA |
| Drain source breakdown test condition | ID=1mA, VGS=0 |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 400V |
| Equivalent output capacitance coss eq | 78pF |
| Gate source zener breakdown voltage bvgso | 30V |
| Zero gate voltage drain current idss 125c | 50uA |
| Static drain source on resistance rds on max | 0.55Ohm |
| Static drain source on resistance rds on typ | 0.49Ohm |
| Напряжение, В | 400 |
| Ток, А | 11 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?