Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 0.55 Ом, 110Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
268 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:268 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 144,24 |
| от 16 | 134,68 |
| от 31 | 126,88 |
| от 50 | 121,07 |
| от 150 | 116,74 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 400 В, ток до 9 А и мощность 110 Вт, сопротивление открытого канала — 0,55 Ом. Выпускается в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | STP11NK40Z |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 18ns |
| Время нарастания | 20ns |
| Технология | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Crossover time | 30ns |
| Dvdt capability | 4.5 V/ns |
| Gate source esd | 3500V |
| Zener protected | Да |
| Лавинный ток | 9A |
| Заряд сток-затвор | 18.5nC |
| Вх. емкость | 930pF |
| Рассеиваемая мощность | 110W |
| Полный заряд затвора | 32nC |
| Заряд затвор-исток | 6nC |
| Выходная емкость | 140pF |
| Время задержки включения | 20ns |
| Время задержки выключения | 40ns |
| Drain current pulsed | 36A |
| Время обратного восстановления | 225ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Заряд обратного восстановления | 1.6µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current continuous | 9A |
| Макс. напряжение сток-исток | 400V |
| Прямая крутизна | 5.8S |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Обратная проходная емкость | 30pF |
| Source drain forward voltage | 1.6V |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Equivalent output capacitance | 78pF |
| Энергия одиноч. импульса | 190mJ |
| Макс. Rси вкл. | 0.55Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.49Ω |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.14°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Gate source zener breakdown voltage | 30V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?