Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
156 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт174,87 ₽
Сумма874,35 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии156 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 8 — 172,37 ₽ (−1%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 874,35 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 425,65 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 874,35 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В и токе до 8 А. Выполнен в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип. сопротивление затвора, Rg | 6Ω |
| Статус | obsolete |
| Tf тип. | 15ns |
| Tr тип. | 12ns |
| Маркировка | 10NM60N |
| Корпус | I2PAK |
| Упаковка | трубка |
| Qgd тип. | 10nC |
| Qgs тип. | 3nC |
| Qrr тип. | 2.12µC |
| Trr тип. | 250ns |
| Макс. Vds | 650V |
| Макс. Vgs | ±25V |
| Тип. Ciss | 540pF |
| Coss тип. | 44pF |
| Тип. Crss | 1.2pF |
| Особенности | 100% avalanche tested, Low input capacitance and gate charge, Low gate input resistance |
| Idss макс. | 1µA |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип. обратный ток | 17A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-канальный |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 70W |
| Ток стока импульсный | 32A |
| Кол-во выводов | 3 |
| Td(вкл) тип. | 10ns |
| Dv/dt peak | 15V/ns |
| Rds(вкл) макс. | 0.55Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.53Ω |
| Td(выкл) тип. | 32ns |
| Технология | MDmesh™ II |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Vgs(th) тип. | 3V |
| Описание | N-channel 600 V, 0.53 Ω typ., 10 A MDmesh™ II Power MOSFET in I²PAK package |
| Артикул | STI10NM60N |
| Применение | Switching applications |
| Тип. полный заряд затвора | 19nC |
| Qrr typ 150c | 2.6µC |
| Trr typ 150c | 315ns |
| IDSS макс. 125°C | 100µA |
| Irrm typ 150c | 16.5A |
| Энергия лавины | 200mJ |
| Лавинный ток | 4A |
| Ток стока непрерывный 25C | 10A |
| Непрерывный ток 100°C | 5A |
| Idss test condition | VDS=600V |
| Условие измерения сопротивления сток-исток | VGS=10V, ID=4A |
| Vgs th test condition | VDS=VGS, ID=250µA |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Условия испытания переключения | VDD=300V, ID=4A, RG=4.7Ω, VGS=10V |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Условия измерения емкости | VDS=50V, f=1MHz, VGS=0 |
| Условия измерения заряда затвора | VDD=480V, ID=8A, VGS=10V |
| Испытательное напряжение изоляции | RMS from all three leads to external heat sink (t=1s; TC=25°C) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 8A TO220 |
| Diode recovery test condition | ISD=8A, di/dt=100A/µs, VDD=60V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.79°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.50°C/W |
| Diode forward voltage test condition | ISD=8A, VGS=0 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?