Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 35Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 754 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 254 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,40 |
| от 100 | 42,93 |
| от 200 | 40,16 |
| от 350 | 37,74 |
| от 650 | 36,12 |
Склад 12
В наличии:500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 34,16 |
| от 25 | 28,58 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В, токе до 10 А и мощности 35 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных блоков питания и схем управления в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | STP10NK60ZFP |
| Корпус | TO-220FP |
| Особенности | Zener-protected, 100% avalanche tested, extremely high dv/dt capability |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 30ns |
| Время нарастания | 20ns |
| Технология | SuperMESH |
| Корпус | TO-220FP |
| Рейтинг ЭСР HBM | 4kV |
| Dv dt capability | 4.5V/ns |
| Лавинный ток | 9A |
| Вх. емкость | 1370pF |
| Макс. R вкл. | 0.75Ω |
| On resistance typ | 0.65Ω |
| Рассеиваемая мощность | 35W |
| Выходная емкость | 156pF |
| Время задержки включения | 20ns |
| Время задержки выключения | 55ns |
| Drain current pulsed | 36A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Импульсный ток стока | 36A |
| Source drain current | 10A |
| Drain current at 100c | 5.7A |
| On resistance typical | 0.65Ω |
| Время обратного восстановления | 570ns |
| Заряд затвора макс. | 70nC |
| Тип. заряд затвора | 50nC |
| Avalanche energy single | 300mJ |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Заряд обратного восстановления | 4.3µC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 35W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | 10A |
| Drain current continuous | 10A |
| Reverse recovery current | 15A |
| Gate source zener voltage | 30V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Avalanche energy repetitive | 3.5mJ |
| Обратная проходная емкость | 37pF |
| Source drain forward voltage | 1.6V |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 600V, 10A, 35W |
| Avalanche energy single pulse | 300mJ |
| Gate source zener voltage min | 30V |
| Insulation withstand voltage rms | 2500V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.6°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 4.5V/ns |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 600V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?