Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 8A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
24 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт239,41 ₽
Сумма1 197,05 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии24 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 7 — 234,54 ₽ (−2%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 197,05 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 102,95 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 197,05 ₽
Описание
STMicroelectronics MOSFET N-канальный STP10N95K5 на напряжение 950 В и ток 8 А. Выполнен в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Маркировка | 10N95K5 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Rds(вкл) макс. | 0.8Ohm |
| Rds(вкл) тип. | 0.65Ohm |
| Технология | SuperMESH 5 |
| Описание | N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET |
| Артикул | STP10N95K5 |
| Тип канала | N-канальный |
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 14ns |
| Макс. пороговое Vgs | 5V |
| Мин. пороговое Vgs | 3V |
| Тип. пороговое напряжение затвор-исток | 4V |
| Темп. хранения | -55 to 150C |
| Общий заряд затвора (Qg) | 22nC |
| Лавинный ток IAR | 2.5A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 15nC |
| Forward on voltage vsd | 1.5V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 5nC |
| Входная ёмкость Ciss | 630pF |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 130W |
| Условия измерения сопротивления сток-исток | VGS=10V, ID=4A |
| Dv dt mosfet ruggedness | 50V/ns |
| Напряжение затвор-исток, В | +/-30V |
| Выходная ёмкость Coss | 50pF |
| Turn on delay time tdon | 22ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 32A |
| Напряжение сток-исток, В | 950V |
| Source drain current isd | 8A |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Power dissipation to220fp | 30W |
| Время обратного восстановления | 404ns |
| Turn off delay time tdoff | 51ns |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 5.2uC |
| Напряжение сток-исток Vds, макс. | 950V |
| Intrinsic gate resistance rg | 6.5Ohm |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 950V 8A TO-220 |
| Drain current continuous tc25 | 8A |
| Reverse recovery current irrm | 25.5A |
| Vgs threshold test conditions | VDS=VGS, ID=100uA |
| Drain current continuous tc100 | 5A |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150C |
| Reverse recovery time trr 150c | 596ns |
| Thermal resistance junction pcb | 30C/W |
| Insulation withstand voltage rms | 2500V |
| Reverse recovery charge qrr 150c | 6.9uC |
| Source drain current pulsed isdm | 32A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.96C/W |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 0.6pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 122mJ |
| Reverse recovery current irrm 150c | 23A |
| Gate source zener breakdown voltage | 30V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5C/W |
| Equivalent capacitance time related cotr | 77pF |
| Equivalent capacitance energy related coer | 28pF |
| Напряжение, В | 950 |
| Ток, А | 10 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?