Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
100 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт182,41 ₽
Сумма912,05 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии100 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 7 — 179,93 ₽ (−1%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 912,05 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 387,95 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 912,05 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 40 В, ток до 120 А, корпус TO-220AB. Подходит для мощных ключей в импульсных источниках питания и автомобильной электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | P100NF04 |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 50 ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 220 ns |
| Описание | N-channel 40V - 0.0043 ohm - 120A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET |
| Артикул | STP100NF04 |
| Коэф. сниж. | 2 W/°C |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Заряд сток-затвор | 70 nC |
| Вх. емкость | 5100 pF |
| Forward on voltage | 1.3V |
| Заряд затвор-исток | 35 nC |
| Выходная емкость | 1300 pF |
| Время задержки включения | 35 ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to 175 °C |
| Время задержки выключения | 80 ns |
| Импульсный ток стока | 480A |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Source drain current | 120A |
| Время обратного восстановления | 75 ns |
| Заряд затвора макс. | 150 nC |
| Тип. заряд затвора | 110 nC |
| Total dissipation tc25 | 300W |
| Заряд обратного восстановления | 185 nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 150 S |
| Обратный ток восстановления | 5A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100 nA |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 6 V/ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Source drain current pulsed | 480A |
| Ток утечки сток-исток | 1 µA |
| Обратная проходная емкость | 160 pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 40V 120A |
| Drain current continuous tc25 | 120A |
| Энергия одиноч. импульса | 1.2 J |
| Drain current continuous tc100 | 120A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 40V |
| Макс. температура пайки выводов | 300 °C |
| Рабочая температура перехода | -55 to 175 °C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.5 °C/W |
| Drain source leakage current tc125 | 10 µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.0046 ohm |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.0043 ohm |
| Обратное напряжение, В | 40 |
| Ток, А | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?