Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100А 4.7мОм TO-220
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
137 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:137 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 88,03 |
| от 15 | 86,51 |
| от 29 | 84,51 |
| от 50 | 81,70 |
| от 150 | 78,14 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 60 В и ток до 100 А при сопротивлении открытого канала всего 4.7 мОм. Выполнен в стандартном корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовых цепей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| E as | 200mJ |
| Тип. заряд затвора | 30nC |
| Rth JA | 62.5°C/W |
| Rth jc | 1.2°C/W |
| Tf тип. | 15ns |
| Макс. Tj | 175°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Tr тип. | 55.5ns |
| Маркировка | 100N6F7 |
| Корпус | TO-220 |
| Qgd тип. | 5.9nC |
| Qgs тип. | 12.6nC |
| Qrr тип. | 47nC |
| Trr тип. | 48.4ns |
| Макс. Vds | 60V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 1980pF |
| Coss тип. | 970pF |
| Тип. Crss | 86pF |
| Тип. обратный ток | 2.0A |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | N-channel |
| Макс. Ptot | 125W |
| Макс. Tstg | 175°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| V sd typ | 1.2V |
| Ток стока импульсный | 400A |
| Td(вкл) тип. | 21.6ns |
| Код заказа | STP100N6F7 |
| Rds(вкл) макс. | 5.6mΩ |
| Rds(вкл) тип. | 4.7mΩ |
| Td(выкл) тип. | 28.6ns |
| Технология | STripFET F7 |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Id max tc25 | 100A |
| Id max tc100 | 75A |
| Корпус | TO-220 |
| Package packaging | трубка |
| Qg test conditions | Vdd=30V, Id=100A, Vgs=10V |
| E as test conditions | Starting Tj=25°C, I=20A, Vdd=30V |
| V sd test conditions | Vgs=0V, Isd=100A |
| Diode test conditions | Isd=100A, di/dt=100A/µs, Vdd=48V |
| Rds on test conditions | Vgs=10V, Id=50A |
| Vgs th test conditions | Vds=Vgs, Id=250µA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Switching test conditions | Vdd=30V, Id=50A, Rg=4.7Ω, Vgs=10V |
| Условия теста емкости | Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz |
| Описание (англ.) | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Заметили ошибку в описании или параметрах?