+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STN951
Документация

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А

Артикул:808779
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
415 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:415 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 18 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 139,93
от 5336,49
от 10533,68
от 20931,56
от 41729,97
Описание

Биполярный PNP-транзистор STN951 от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 60 В и ток до 5 А. Компонент выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для применения в цепях управления нагрузкой и коммутации в промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипPNP
КорпусSOT-223
Тип монтажаSMD
Размеры6.5x3.5x1.8mm
Ток базы-1A
КорпусSOT-223
Switching timeston=80ns, ts=600ns, tf=70ns (1A, 30V)
Base peak current-2A
Ток коллектора-5A
Рассеиваемая мощность1.6W
Dc current gain hfe150-300 (10mA), 150-270-350 (2A), 65-90 (5A), 10-25 (10A)
Частота перехода130MHz
Напряжение эмиттер-база-6V
Collector peak current-10A
Напряжение коллектор-база-60V
Напряжение насыщения база-эмиттер-0.89 to -1V (4A, VCE=-1V)
Ток отсечки эмиттера-0.1µA
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Макс. темп. перехода150°C
Ток отсечки коллектора-0.1µA
Диап. темп. хр.-65 to 150°C
Напряжение коллектор-эмиттер-60V
Collector base capacitance60pF
Описание (англ.)PNP 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Напряжение пробоя эмиттер-база-6V
Напр. нас. база-эмиттер-1 to -1.15V (4A/200mA)
Напряжение пробоя коллектор-база-60V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер-60V
Тепловое сопротивление переход-среда78°C/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-10 to -50mV (100mA/5mA), -70 to -120mV (1A/50mA), -140 to -250mV (2A/50mA), -350 to -500mV (5A/200mA)

Заметили ошибку в описании или параметрах?