Документация
Транзистор биполярный STN83003 / NPN, 1.5А, 400В, SOT-223
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 153 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 153 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 37,81 |
| от 61 | 34,44 |
| от 121 | 31,68 |
| от 241 | 29,59 |
| от 482 | 28,03 |
Описание
Транзистор биполярный STN83003 от STMicroelectronics — высоковольтный NPN-прибор в компактном корпусе SOT-223. Компонент рассчитан на ток до 1.5 А и напряжение 400 В, что делает его подходящим для применения в импульсных источниках питания и драйверах нагрузок. Отличается низким напряжением насыщения и высокой скоростью переключения.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Маркировка | N83003 |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape and reel |
| Размеры | A: 1.80mm max; B: 0.60mm min, 0.70mm typ, 0.85mm max; C: 0.24mm min, 0.26mm typ, 0.35mm max; D: 6.30mm min, 6.50mm typ, 6.70mm max; E: 2.30mm; H: 6.70mm min, 7.00mm typ, 7.30mm max; V: 10°; A1: 0.02mm min, 0.1mm max; B1: 2.90mm min, 3.00mm typ, 3.15mm max; E1: 4.60mm; E2: 3.30mm min, 3.50mm typ, 3.70mm max |
| Применение | Electronics ballasts for fluorescent lighting |
| Rise time tr | 100ns (IC=0.35A, VCC=125V) |
| Base current ib | 0.75A |
| Complementary pair | STN93003 |
| Dc current gain hfe | 10 (IC=10mA, VCE=5V), 16-32 (IC=0.35A, VCE=5V), 4 (IC=1A, VCE=5V) |
| Ток коллектора Ic | 1.5A |
| Base peak current ibm | 1.5A |
| Fall time tf inductive | 90ns |
| Fall time tf resistive | 0.2µs |
| Общая рассеиваемая мощность | 1.6W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 12V min, 18V typ |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Storage time ts inductive | 450ns |
| Storage time ts resistive | 1.5µs min, 2.2µs typ, 2.9µs max |
| Collector peak current icm | 3A |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 400V 1.5A SOT-223 |
| Collector cutoff current ices | 1mA (at VCE=700V), 5mA (at VCE=700V, TC=125°C) |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 400V |
| Collector emitter voltage vces | 700V |
| Max operating junction temperature | 150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 78°C/W |
| Base emitter saturation voltage vbe sat | 1V (IC=0.5A, IB=0.1A) |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | 1V (IC=0.35A, IB=50mA), 0.5V (IC=0.5A, IB=0.1A) |
| Collector emitter sustaining voltage vce sus | 400V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?