Документация
Транзистор полевой STN4NF20L / N-канал, SOT-223, 3.3А, 200В
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
482 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:482 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,81 |
| от 62 | 32,60 |
| от 123 | 29,98 |
| от 245 | 27,99 |
| от 489 | 26,51 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от STMicroelectronics. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-223, рассчитан на ток до 3.3 А и напряжение до 200 В. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и цепях управления нагрузкой, где требуется высокая эффективность переключения.
Технические характеристики
| Ecopack | Да |
| Маркировка | 4NF20L |
| Корпус | SOT-223 |
| Особенности | 100% avalanche tested, Low gate charge, Exceptional dv/dt capability |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape and reel |
| Размеры | A max: 1.80mm; B max: 0.85mm; B min: 0.60mm; B typ: 0.70mm; D max: 6.70mm; D min: 6.30mm; D typ: 6.50mm; E max: 3.70mm; E min: 3.30mm; E typ: 3.50mm; H max: 7.30mm; H min: 6.70mm; H typ: 7.00mm; V max: 10°; C max: 0.35mm; C min: 0.24mm; C typ: 0.26mm; E typ: 2.30mm; A1 max: 0.1mm; A1 min: 0.02mm; B1 max: 3.15mm; B1 min: 2.90mm; B1 typ: 3.00mm; E1 typ: 4.60mm |
| Rds(вкл) макс. | 1.5Ω |
| Rds(вкл) тип. | 1.1Ω |
| Технология | STripFET II |
| Описание | N-channel 200V, 1.1 Ohm, 1A SOT-223 low gate charge STripFET II Power MOSFET |
| Артикул | STN4NF20L |
| Применение | Switching applications, primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters |
| Rds on max vgs5 | 1.55Ω |
| Тип транзистора | N-channel MOSFET |
| Rds on max vgs10 | 1.5Ω |
| Rds on vgs5 id05 | 1.13Ω |
| Лавинный ток | 1A |
| Rds on vgs10 id05 | 1.1Ω |
| Drain current pulsed | 4A |
| Напряжение сток-исток | 200V |
| Source drain current | 1A |
| Crossing time off typ | 15.4ns |
| Current fall time typ | 10.4ns |
| Gate body leakage max | ±100nA |
| Тип. заряд затвор-сток | 6.9nC |
| Тип. входная емкость | 150pF |
| Мощн. рас. 25°C | 3.3W |
| Тип. заряд затвора | 0.9nC |
| Voltage rise time typ | 2ns |
| Forward on voltage max | 1.6V |
| Тип. заряд затвор-исток | 2.6nC |
| Выходная емкость тип. | 30pF |
| Thermal test condition | Mounted on 1 inch² FR-4 board, 2 oz. Cu |
| Voltage delay time typ | 3.6ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Avalanche test condition | Starting Tj=25°C, ID=IAR, VDD=50V |
| Drain source leakage max | 1µA |
| Макс. напряжение сток-исток | 200V |
| Switching test condition | VDD=100V, ID=0.5A, RG=4.7Ω, VGS=10V |
| Dv dt peak diode recovery | 20V/ns |
| Тип. время восст. | 51ns |
| Capacitance test condition | VDS=25V, f=1MHz, VGS=0 |
| Gate charge test condition | VDD=160V, ID=1A, VGS=10V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Тип. пороговое Uзи | 2V |
| Тип. заряд восст. | 90nC |
| Source drain current pulsed | 4A |
| Drain current continuous 25c | 1A |
| Reverse recovery current typ | 3.5A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 |
| Drain current continuous 100c | 0.63A |
| Drain source leakage 125c max | 50µA |
| Intrinsic gate resistance typ | 5.5Ω |
| Энергия одиноч. импульса | 90mJ |
| Reverse recovery time 150c typ | 56ns |
| Reverse recovery test condition | ISD=1A, di/dt=100A/µs, VDD=60V |
| Reverse recovery charge 150c typ | 105nC |
| Обр. проходная емкость тип. | 4pF |
| Forward on voltage test condition | ISD=1A, VGS=0 |
| Reverse recovery current 150c typ | 3.7A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Reverse recovery test condition 150c | ISD=1A, di/dt=100A/µs, VDD=60V, Tj=150°C |
| Gate threshold voltage test condition | VGS=VDS, ID=250µA |
| Thermal resistance junction ambient 10s | 38°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?