Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3А 0.16 Ом, 2,6Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
564 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:515 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 82,12 |
| от 27 | 76,06 |
| от 53 | 71,12 |
| от 105 | 67,41 |
| от 210 | 64,65 |
Склад 12
В наличии:49 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 64,20 |
| от 20 | 64,20 |
Описание
Транзистор полевой P-канальный MOSFET от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 60 В и токе до 3 А, сопротивление открытого канала — 0,16 Ом, мощность рассеивания — 2,6 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для коммутации нагрузки в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | 3P6F6 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ширина корпуса | 3.3-3.7mm |
| Макс. высота | 1.8mm |
| Шаг выводов | 2.3mm |
| Код заказа | STN3P6F6 |
| Технология | STripFET F6 |
| Длина корпуса | 6.3-6.7mm |
| Артикул | STN3P6F6 |
| Channel type | P-channel |
| Тип упаковки | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 3.7ns |
| Тип. время нарастания | 5.3ns |
| Макс. R вкл. | 0.16Ω |
| On resistance typ | 0.13Ω |
| Рассеиваемая мощность | 2.6W |
| Размеры упаковки | 6.3-6.7mm x 3.3-3.7mm |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Drain current pulsed | -12A |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.7nC |
| Тип. входная емкость | 340pF |
| Тип. заряд затвора | 6.4nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.7nC |
| Выходная емкость тип. | 40pF |
| Время задержки вкл. тип. | 6.4ns |
| Время задержки выкл. тип. | 14ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Тип. время восст. | 20ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -2V |
| Тип. заряд восст. | 17.8nC |
| Drain current continuous 25c | -3A |
| Reverse recovery current typ | -1.8A |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 60V SOT-223 |
| Drain current continuous 100c | -2A |
| Thermal resistance junction pcb | 57°C/W |
| Обр. проходная емкость тип. | 20pF |
| Source drain forward voltage typ | -1.1V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?