Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 3.3Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 835 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 835 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,38 |
| от 63 | 29,47 |
| от 126 | 27,08 |
| от 251 | 25,28 |
| от 501 | 23,92 |
Описание
Транзистор полевой N-канальный MOSFET от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 60 В и токе до 4 А, рассеиваемая мощность — 3,3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-223. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Tf тип. | 10ns |
| Tr тип. | 25ns |
| Eas max | 200mJ |
| Корпус | SOT-223 |
| Qgd тип. | 2.8nC |
| Qgs тип. | 1.5nC |
| Qrr тип. | 88nC |
| Trr тип. | 50ns |
| Макс. Vds | 60V |
| Макс. Vgs | ±16V |
| Тип. Ciss | 340pF |
| Coss тип. | 63pF |
| Тип. Crss | 30pF |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип. обратный ток | 3.5A |
| Тип монтажа | SMD |
| V sd typ | 1.5V |
| Макс. dV/dt | 10V/ns |
| Ток стока импульсный | 16A |
| Кол-во выводов | 3 or 4 |
| Td(вкл) тип. | 9ns |
| Td(выкл) тип. | 20ns |
| Технология | STripFET II |
| Vgs порог макс. | 2.8V |
| Vgs порог мин. | 1V |
| Макс. IDSS при 25°C | 1μA |
| Ptot max 25c | 3.3W |
| Qg total max | 9nC |
| Тип. полный заряд затвора | 7nC |
| V br dss min | 60V |
| Корпус | SOT-223 |
| IDSS макс. 125°C | 10μA |
| Avalanche tested | Да |
| Rds on max vgs5v | 0.12Ω |
| Rds on typ vgs5v | 0.085Ω |
| Ток стока непрерывный 25C | 4A |
| Rds on max vgs10v | 0.1Ω |
| Rds on typ vgs10v | 0.07Ω |
| Непрерывный ток 100°C | 2.9A |
| Размеры упаковки | A min: 1.8mm; B max: 0.85mm; B min: 0.6mm; C max: 0.35mm; C min: 0.24mm; D max: 6.7mm; D min: 6.3mm; E max: 3.7mm; E min: 3.3mm; H max: 7.3mm; H min: 6.7mm; A1 max: 0.1mm; A1 min: 0.02mm; B1 max: 3.15mm; B1 min: 2.9mm; V angle: 10°; E nominal: 2.3mm; E1 nominal: 4.6mm |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Thermal resistance junction pcb 1inch2 | 38°C/W |
| Thermal resistance junction pcb min footprint | 100°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?