Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.8A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 014 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 014 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 26 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 28,18 |
| от 24 | 27,24 |
| от 47 | 25,97 |
| от 94 | 24,18 |
| от 188 | 22,29 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 400 В, ток до 1,8 А, корпус SOT-223. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | 3N40K3 |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-channel |
| Упаковка | Tape and reel |
| Технология | SuperMESH3 |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип. время спада | 14ns |
| Тип. время нарастания | 8ns |
| Zener protected | Да |
| Drain current pulsed | 7.2A |
| Gate charge minimized | Да |
| Тип. заряд затвор-сток | 7nC |
| Тип. входная емкость | 165pF |
| Тип. заряд затвора | 11nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 2nC |
| Выходная емкость тип. | 17pF |
| Время задержки вкл. тип. | 7ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Время задержки выкл. тип. | 18ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 400V |
| Тип. время восст. | 145ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Тип. заряд восст. | 490nC |
| Source drain current pulsed | 7.2A |
| Total power dissipation 25c | 3.3W |
| 100 percent avalanche tested | Да |
| Avalanche current repetitive | 0.6A |
| Drain current continuous 25c | 1.8A |
| Reverse recovery current typ | 7A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 |
| Drain current continuous 100c | 1A |
| Gate body leakage current max | ±10µA |
| Intrinsic gate resistance typ | 10Ω |
| Энергия одиноч. импульса | 45mJ |
| Reverse recovery time 150c typ | 166ns |
| Very low intrinsic capacitance | Да |
| Electrostatic discharge hbm max | 1kV |
| Extremely high dv dt capability | Да |
| Source drain current continuous | 1.8A |
| Reverse recovery charge 150c typ | 580nC |
| Обр. проходная емкость тип. | 3pF |
| Peak diode recovery voltage slope | 12V/ns |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 400V |
| Source drain forward on voltage typ | 1.5V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 37.9 °C/W |
| Zero gate voltage drain current max | 1µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 3.4Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 3.1Ω |
| Zero gate voltage drain current 125c max | 50µA |
| Equivalent output capacitance time related typ | 14pF |
| Improved diode reverse recovery characteristics | Да |
| Equivalent output capacitance energy related typ | 9pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?