Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4А 0.23 Ом, 3.3Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 449 шт.
Норм. уп.: 15
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 969 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 53,83 |
| от 38 | 49,53 |
| от 76 | 46,01 |
| от 152 | 43,38 |
| от 304 | 41,40 |
Склад 12
В наличии:480 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 15
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,02 |
| от 15 | 25,07 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 100 В, ток до 2.4 А, сопротивление открытого канала 0.23 Ом при мощности 3.3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-223. Подходит для коммутации нагрузки в блоках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Макс. заряд затвора | 14nC |
| Тип. заряд затвора | 10nC |
| Tf тип. | 3ns |
| Tr тип. | 10ns |
| Gfs тип. | 2.5S |
| Маркировка | N2NF10 |
| Корпус | SOT-223 |
| Process | STripFET II |
| Qgd тип. | 4nC |
| Qgs тип. | 2.5nC |
| Qrr тип. | 175nC |
| Trr тип. | 70ns |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 280pF |
| Coss тип. | 45pF |
| Тип. Crss | 20pF |
| Idss макс. | 1µA (at 30V, Tj=125°C) |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип. обратный ток | 5A |
| Тип монтажа | SMD |
| Ptot 25c | 3.3W |
| V sd typ | 1.2V |
| Макс. dV/dt | 30V/ns |
| Ток стока импульсный | 17A |
| Упаковка | Tape & reel |
| Td(вкл) тип. | 6ns |
| Vbdss min | 100V |
| Rds(вкл) макс. | 0.26Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.23Ω |
| Td(выкл) тип. | 20ns |
| Технология | STripFET II |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Применение | Switching application, DC-DC converters |
| Описание | N-channel 100V - 0.23 - 2.4A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET |
| E as single | 200mJ |
| Артикул | STN2NF10 |
| Fall time tf | 3ns |
| Rise time tr | 10ns |
| Размеры мм | A: 1.80 max; B: 0.60 to 0.80; D: 6.30 to 6.70; E: 3.30 to 3.70; H: 6.70 to 7.30; V: 10°; C: 0.24 to 0.32; E: 2.30 typ; A1: 0.02; B1: 2.90 to 3.10; E1: 4.60 typ |
| Коэф. сниж. | 0.026 W/°C |
| Dimensions inch | A: 0.071 max; B: 0.024 to 0.031; D: 0.248 to 0.264; E: 0.130 to 0.146; H: 0.264 to 0.287; V: 10°; C: 0.009 to 0.013; E: 0.090 typ; B1: 0.114 to 0.122; E1: 0.181 typ |
| Тип транзистора | N-channel MOSFET |
| Ток стока непрерывный 25C | 2.4A |
| Непрерывный ток 100°C | 1.5A |
| Размеры упаковки | A max: 1.80mm; B max: 0.80mm; B min: 0.60mm; C max: 0.32mm; C min: 0.24mm; D max: 6.70mm; D min: 6.30mm; E max: 3.70mm; E min: 3.30mm; E typ: 2.30mm; H max: 7.30mm; H min: 6.70mm; B1 max: 3.10mm; B1 min: 2.90mm; E1 typ: 4.60mm; V angle: 10° |
| Диапазон температур хранения | -55 to 150°C |
| Junction temp range | -55 to 150°C |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Total gate charge qg | 10 to 14nC |
| Gate drain charge qgd | 4nC |
| Forward on voltage vsd | 1.2V |
| Gate source charge qgs | 2.5nC |
| Input capacitance ciss | 280pF |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 45pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current pulsed idm | 17A |
| Peak diode recovery dvdt | 30 V/ns |
| Source drain current isd | 2.4A |
| Turn on delay time td on | 6ns |
| Drain source voltage vdss | 100V |
| Reverse recovery time trr | 70ns |
| Turn off delay time td off | 20ns |
| Reverse recovery charge qrr | 175nC |
| Forward transconductance gfs | 2.5S |
| Gate threshold voltage vgsth | 2 to 4V |
| Total power dissipation tc25 | 3.3W |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Drain current continuous tc25 | 2.4A |
| Reverse recovery current irrm | 5A |
| Drain current continuous tc100 | 1.5A |
| Gate body leakage current igss | ±100 nA |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Source drain current pulsed isdm | 17A |
| Reverse transfer capacitance crss | 20pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 200mJ |
| Zero gate voltage drain current idss | 1 µA |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 100V |
| Thermal resistance junction amb 10sec | 38 °C/W |
| Thermal resistance junction amb steady | 62.5 °C/W |
| Static drain source on resistance rds on | 0.23 to 0.26Ω |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 | 10 µA |
| Thermal resistance junction ambient large board | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction ambient small board | 38°C/W |
| Zero gate voltage drain current idss vds30 tc125 | 1 µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?