+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STN2NF10
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4А 0.23 Ом, 3.3Вт

Артикул:773229
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
989 шт.
Норм. уп.: 15
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:509 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 22 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 131,59
от 2230,60
от 4429,22
от 8827,28
от 17525,16
Склад 12
В наличии:480 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 15
Минимальная партия: 8 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 130,02
от 1525,07
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 100 В, ток до 2.4 А, сопротивление открытого канала 0.23 Ом при мощности 3.3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-223. Подходит для коммутации нагрузки в блоках питания и промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипN-channel MOSFET
Макс. заряд затвора14nC
Тип. заряд затвора10nC
Tf тип.3ns
Tr тип.10ns
Gfs тип.2.5S
МаркировкаN2NF10
КорпусSOT-223
Qgd тип.4nC
Qgs тип.2.5nC
Qrr тип.175nC
Trr тип.70ns
Макс. Vds100V
Макс. Vgs±20V
Тип. Ciss280pF
Coss тип.45pF
Тип. Crss20pF
Idss макс.1µA (at 30V, Tj=125°C)
Igss макс.±100nA
Тип. обратный ток5A
Тип монтажаSMD
Ptot 25c3.3W
V sd typ1.2V
Макс. dV/dt30V/ns
Ток стока импульсный17A
УпаковкаTape & reel
Td(вкл) тип.6ns
Vbdss min100V
Rds(вкл) макс.0.26Ω
Rds(вкл) тип.0.23Ω
Td(выкл) тип.20ns
ТехнологияSTripFET II
Vgs порог макс.4V
Vgs порог мин.2V
E as single200mJ
КорпусSOT-223
Ток стока непрерывный 25C2.4A
Непрерывный ток 100°C1.5A
Размеры упаковкиA max: 1.80mm; B max: 0.80mm; B min: 0.60mm; C max: 0.32mm; C min: 0.24mm; D max: 6.70mm; D min: 6.30mm; E max: 3.70mm; E min: 3.30mm; E typ: 2.30mm; H max: 7.30mm; H min: 6.70mm; B1 max: 3.10mm; B1 min: 2.90mm; E1 typ: 4.60mm; V angle: 10°
Диапазон температур хранения-55 to 150°C
Junction temp range-55 to 150°C
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Описание (англ.)MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Thermal resistance junction ambient large board62.5°C/W
Thermal resistance junction ambient small board38°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?