Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.25А 3.3Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
33 627 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:33 627 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 28 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 26,17 |
| от 231 | 24,09 |
| от 461 | 22,69 |
| от 922 | 21,45 |
| от 1 843 | 20,63 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение до 600 В, ток до 0,25 А и мощность 3,3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Подходит для применения в импульсных источниках питания и маломощных преобразователях.
Технические характеристики
| ЭСР HBM | 800V |
| Маркировка | 1NK60Z |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 28ns |
| Упаковка | Tape and reel |
| Время нарастания | 5ns |
| Технология | SuperMESH |
| Описание | N-channel 600 V, 13 typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 |
| Артикул | STN1NK60Z |
| Коэф. сниж. | 0.026W/°C |
| Тип транзистора | N-channel MOSFET |
| Лавинный ток | 0.3A |
| Заряд сток-затвор | 2.7nC |
| Вх. емкость | 94pF |
| Forward on voltage | 1.6V |
| Заряд затвор-исток | 1nC |
| Выходная емкость | 17.6pF |
| Время задержки включения | 5.5ns |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Время задержки выключения | 13ns |
| Drain current pulsed | 1.2A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Source drain current | 0.8A |
| Время обратного восстановления | 135ns |
| Заряд затвора макс. | 6.9nC |
| Тип. заряд затвора | 4.9nC |
| Заряд обратного восстановления | 216nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 0.5S |
| Reverse recovery current | 3.2A |
| Dv dt peak diode recovery | 4.5V/ns |
| Gate body leakage current | ±10µA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Reverse recovery time 150c | 140ns |
| Source drain current pulsed | 2.4A |
| Total power dissipation 25c | 3.3W |
| Drain current continuous 25c | 0.3A |
| Reverse recovery charge 150c | 224nC |
| Обратная проходная емкость | 2.8pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Drain current continuous 100c | 0.189A |
| Equivalent output capacitance | 11pF |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| Энергия одиноч. импульса | 60mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Thermal resistance junction lead | 40°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 38°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 50µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 15Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 13Ω |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?