Документация
Транзистор STN1NK60Z
У поставщика
У поставщиков
4 000 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:4 000 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 100
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 21,32 |
Описание
Транзистор STN1NK60Z от ST Microelectronics — это мощный N-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до 600 В и импульсный ток до 3,2 А, при этом рассеивает до 3,3 Вт. Благодаря встроенной защите от электростатических разрядов (800 В) и быстрому переключению подходит для импульсных источников питания и вспомогательных цепей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Tf тип. | 28ns |
| Tr тип. | 5ns |
| ЭСР HBM | 800V |
| Gfs тип. | 0.5S |
| Корпус | SOT-223 |
| Qgd тип. | 2.7nC |
| Qgs тип. | 1nC |
| Qrr тип. | 216nC |
| Trr тип. | 135ns |
| Макс. Vds | 600V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| VSD тип. | 1.6V |
| Тип. Ciss | 94pF |
| Coss тип. | 17.6pF |
| Тип. Crss | 2.8pF |
| Idss 25c | 1µA |
| Igss макс. | ±10µA |
| Тип. обратный ток | 3.2A |
| Тип монтажа | SMD |
| Ptot 25c | 3.3W |
| Ток стока импульсный | 1.2A |
| Idss 125c | 50µA |
| Td(вкл) тип. | 5.5ns |
| Ширина корпуса | 3.7mm |
| Dv dt peak | 4.5V/ns |
| Шаг выводов | 2.3mm |
| Sdi pulsed | 2.4A |
| Td(выкл) тип. | 13ns |
| Технология | SuperMESH N-channel MOSFET |
| Vgs порог макс. | 4.5V |
| Vgs порог мин. | 3V |
| Vgs(th) тип. | 3.75V |
| Высота корпуса | 1.8mm |
| Длина корпуса | 6.5mm |
| Coss eq typ | 11pF |
| Артикул | STN1NK60Z |
| Sdi current | 0.8A |
| Qg total max | 6.9nC |
| Тип. полный заряд затвора | 4.9nC |
| Rdson on max | 15Ω |
| Rdson on typ | 13Ω |
| Коэф. сниж. | 0.026W/°C |
| Zener protected | Да |
| Avalanche energy | 60mJ |
| Лавинный ток | 0.3A |
| Ток стока непрерывный 25C | 0.3A |
| Непрерывный ток 100°C | 0.189A |
| Тепловое сопротивление JA | 38°C/W |
| Thermal resistance jl | 40°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?