Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.4А 3.3Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
14 941 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:14 941 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 26 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 26,91 |
| от 124 | 24,61 |
| от 248 | 22,78 |
| от 495 | 21,19 |
| от 989 | 20,13 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В, токе 0,4 А и мощности 3,3 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-223. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Tstg | -55 to 150 degC |
| Макс. заряд затвора | 10nC |
| Тип. заряд затвора | 7nC |
| Tf тип. | 25ns |
| Tr тип. | 5ns |
| Маркировка | N1HNK60 |
| Корпус | SOT-223 |
| Упаковка | Tape and reel |
| Qgd тип. | 3.7nC |
| Qgs тип. | 1.1nC |
| Qrr тип. | 240nC |
| Trr тип. | 140ns |
| Макс. Vds | 600V |
| Макс. Vgs | +/-30V |
| Vsd макс. | 1.6V |
| Тип. Ciss | 156pF |
| Coss тип. | 23.5pF |
| Тип. Crss | 3.8pF |
| Особенности | Extremely high dv/dt capability, 100% avalanche tested, Gate charge minimized, Zener-protected |
| Idss макс. | 1uA |
| Igss макс. | +/-100nA |
| Тип. обратный ток | 3.3A |
| Тип монтажа | SMD |
| Rthj amb | 120 degC/W |
| Rthj pcb | 37.87 degC/W |
| Vdgr max | 600V |
| Компонент | STN1HNK60 |
| Ток стока импульсный | 1.6A |
| Кол-во выводов | 4 |
| Ptot tc25 | 3.3W |
| Rthj lead | 40 degC/W |
| Td(вкл) тип. | 6.5ns |
| Rds(вкл) макс. | 8.5Ohm |
| Rds(вкл) тип. | 7.3Ohm |
| Td(выкл) тип. | 19ns |
| Технология | SuperMESH |
| Vgs порог макс. | 3.7V |
| Vgs порог мин. | 2.25V |
| Vgs(th) тип. | 3V |
| Описание | N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFET |
| Isdm pulsed | 1.6A |
| Vbr dss min | 600V |
| Применение | Switching applications |
| Tj operating | -55 to 150 degC |
| Код заказа | STN1HNK60 |
| Qrr typ tj150 | 377nC |
| Trr typ tj150 | 229ns |
| Idss max tc125 | 50uA |
| Irrm typ tj150 | 3.3A |
| Isd continuous | 0.4A |
| Одиночный импульс EAS | 25mJ |
| Package dim A max | 1.8mm |
| Package dim B max | 0.85mm |
| Package dim B min | 0.6mm |
| Package dim B typ | 0.7mm |
| Package dim D max | 6.7mm |
| Package dim D min | 6.3mm |
| Package dim D typ | 6.5mm |
| Package dim E max | 3.7mm |
| Package dim E min | 3.3mm |
| Package dim E typ | 3.5mm |
| Package dim H max | 7.3mm |
| Package dim H min | 6.7mm |
| Package dim H typ | 7.0mm |
| Package dim V max | 10deg |
| Package dim c max | 0.35mm |
| Package dim c min | 0.24mm |
| Package dim c typ | 0.26mm |
| Package dim e typ | 2.3mm |
| Id continuous tc25 | 0.4A |
| Package dim A1 max | 0.1mm |
| Package dim A1 min | 0.02mm |
| Package dim B1 max | 3.15mm |
| Package dim B1 min | 2.9mm |
| Package dim B1 typ | 3mm |
| Package dim e1 typ | 4.6mm |
| Eas test conditions | starting Tj=25 degC, ID=IAR, VDD=50V |
| Id continuous tc100 | 0.25A |
| Vsd test conditions | ISD=0.4A, VGS=0V |
| Idss test conditions | VGS=0V, VDS=600V |
| Igss test conditions | VDS=0V, VGS=+/-30V |
| Iar avalanche current | 0.4A |
| Rds on test conditions | VGS=10V, ID=0.5A |
| Vgs th test conditions | VDS=VGS, ID=250uA |
| Vbr dss test conditions | ID=1mA, VGS=0V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Rthj pcb test conditions | mounted on FR-4 board of 1 in2, 2 oz Cu, t < 10 s |
| Dv dt peak diode recovery | 3V/ns |
| Switching test conditions | VDD=300V, ID=0.5A, RG=4.7Ohm, VGS=10V |
| Условия теста емкости | VDS=25V, f=1MHz, VGS=0V |
| Gate charge test conditions | VDD=480V, ID=1A, VGS=0 to 10V |
| Описание (англ.) | N-CHANNEL 600V 8 Ohm 0.4A |
| Diode recovery test conditions | ISD=1.0A, di/dt=100A/us, VDD=25V |
| Diode recovery test conditions tj150 | ISD=1.0A, di/dt=100A/us, VDD=25V, TJ=150 degC |
Заметили ошибку в описании или параметрах?