Документация
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 7 А/6 А, 30 мОм/52 мОм, 2 Вт
У поставщика
ПроизводительSamHop
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 693 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 693 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 34 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 20,31 |
| от 100 | 18,24 |
| от 200 | 16,54 |
| от 400 | 15,23 |
| от 800 | 14,27 |
Описание
Сборка из полевых транзисторов SamHop STM8309 объединяет N-канальный и P-канальный ключи в одном корпусе SO-8. Компонент рассчитан на напряжение до 30 В, ток до 7 А и мощность 2 Вт. Подходит для компактных схем управления питанием и защиты цепей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-8 |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Id max n | 7A |
| Id max p | -6A |
| Igss макс. | 10µA |
| Тип монтажа | SMD |
| Vds max n | 30V |
| Vds max p | -30V |
| Idss n max | 1µA |
| Idss p max | -1µA |
| Id pulsed n | 28A |
| Id pulsed p | -24A |
| Vgs th n max | 3.0V |
| Vgs th n min | 1.0V |
| Vgs th n typ | 1.9V |
| Vgs th p max | -3.0V |
| Vgs th p min | -1.0V |
| Vgs th p typ | -1.9V |
| Корпус | SO-8 |
| Конфигурация | Dual Enhancement Mode N and P Channel |
| Fall time n typ | 15ns |
| Fall time p typ | 40ns |
| Rise time n typ | 17.5ns |
| Rise time p typ | 18ns |
| Рассеиваемая мощность | 2W |
| Rds on n vgs10v max | 23mΩ |
| Turn on delay n typ | 12ns |
| Turn on delay p typ | 12ns |
| Rds on n vgs4 5v max | 30mΩ |
| Rds on p vgs 10v max | 35mΩ |
| Turn off delay n typ | 41ns |
| Turn off delay p typ | 70ns |
| Rds on p vgs 4 5v max | 52mΩ |
| Diode forward current n | 1.7A |
| Diode forward current p | -1.7A |
| Gate drain charge n typ | 3.3nC |
| Gate drain charge p typ | 4.5nC |
| Input capacitance n typ | 680pF |
| Input capacitance p typ | 870pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate source charge n typ | 1.7nC |
| Gate source charge p typ | 1.7nC |
| Output capacitance n typ | 190pF |
| Output capacitance p typ | 225pF |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Diode forward voltage n max | 1.2V |
| Diode forward voltage n typ | 0.8V |
| Diode forward voltage p max | -1.2V |
| Diode forward voltage p typ | -0.8V |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, N+P-channel, 30V 7/6A 30/52 mOhm 2W |
| Forward transconductance n typ | 14S |
| Forward transconductance p typ | 8.5S |
| Gate charge total n vgs10v typ | 11nC |
| Gate charge total n vgs4 5v typ | 5.5nC |
| Gate charge total p vgs 10v typ | 15nC |
| Gate charge total p vgs 4 5v typ | 7.5nC |
| Reverse transfer capacitance n typ | 115pF |
| Reverse transfer capacitance p typ | 125pF |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?