Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
70 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:60 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 459,01 |
| от 6 | 433,67 |
| от 11 | 413,02 |
| от 21 | 397,68 |
| от 60 | 386,26 |
Склад 12
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 755,55 |
| от 2 | 703,57 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 600 В и ток до 80 А при мощности 283 Вт. Выполнен в прочном корпусе TO-247. Подходит для импульсных источников питания, сварочных инверторов и силовой промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Qgc | 95nC |
| Qge | 38nC |
| Cies | 5400pF |
| Coes | 220pF |
| Cres | 180pF |
| Rth JA | 50 °C/W |
| Tf 25c | 20ns |
| Макс. Tj | 175°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Tr 25c | 17ns |
| Eon 25c | 456µJ |
| Ets 25c | 867µJ |
| Маркировка | GW40V60DF |
| Корпус | TO-247 |
| Упаковка | трубка |
| Tf 175c | 21ns |
| Tr 175c | 21ns |
| Eoff 25c | 411µJ |
| Eon 175c | 1330µJ |
| Ets 175c | 1890µJ |
| Ices max | 25µA |
| Iges max | ±250nA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Макс. Ptot | 283W |
| Qg total | 226nC |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Vces max | 600V |
| Vges max | ±20V |
| Viso rms | 3.5kV |
| Eoff 175c | 560µJ |
| Ic pulsed | 160A |
| If pulsed | 160A |
| Td on 25c | 52ns |
| Шаг выводов | 5.44mm |
| Td off 25c | 208ns |
| Td on 175c | 52ns |
| Технология | Trench gate field-stop IGBT, V series |
| Vf max 25c | 2.45V |
| Vf typ 25c | 1.7V |
| Vge th max | 7V |
| Vge th min | 5V |
| Vge th typ | 6V |
| Наименование | STGW40V60DF |
| Ic cont 25c | 80A |
| If cont 25c | 80A |
| Rth jc igbt | 0.53 °C/W |
| Td off 175c | 220ns |
| Vf typ 125c | 1.4V |
| Vf typ 175c | 1.3V |
| Di dt on 25c | 1850A/µs |
| Ic cont 100c | 40A |
| If cont 100c | 40A |
| Rth jc diode | 1.14 °C/W |
| V br ces min | 600V |
| Di dt on 175c | 1538A/µs |
| Err diode 25c | 151µJ |
| Диаметр вывода | 1.0mm |
| Qrr diode 25c | 440nC |
| Trr diode 25c | 41ns |
| Err diode 175c | 718µJ |
| Irrm diode 25c | 21.6A |
| Qrr diode 175c | 2400nC |
| Trr diode 175c | 109ns |
| Irrm diode 175c | 44.4A |
| Vce sat max 25c | 2.3V |
| Vce sat typ 25c | 1.8V |
| Vce sat typ 125c | 2.15V |
| Vce sat typ 175c | 2.35V |
| Current fall time | 20ns |
| Current rise time | 17ns |
| Dirr dt diode 25c | 1363A/µs |
| Вх. емкость | 5400pF |
| Полный заряд затвора | 226nC |
| Dirr dt diode 175c | 670A/µs |
| Выходная емкость | 220pF |
| Ширина корпуса | 15.7mm |
| Package tab length | 19.6mm |
| Время задержки включения | 52ns |
| Vf test conditions | IF=40A |
| Gate emitter charge | 38nC |
| Package body height | 5.0mm |
| Package body length | 21.0mm |
| Время задержки выключения | 208ns |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Ices test conditions | VGE=0V, VCE=600V |
| Iges test conditions | VCE=0V, VGE=±20V |
| Diode test conditions | IF=40A, VR=400V, VGE=15V, di/dt=1000A/µs, inductive load |
| Gate collector charge | 95nC |
| Время обратного восстановления | 41ns |
| Turn on current slope | 1850A/µs |
| Forward on voltage max | 2.45V |
| Forward on voltage typ | 1.7V |
| Импульсный прямой ток | 160A |
| Total switching energy | 867µJ |
| Vge th test conditions | VCE=VGE, IC=1mA |
| Forward on voltage 125c | 1.4V |
| Forward on voltage 175c | 1.3V |
| Заряд обратного восстановления | 440nC |
| Reverse recovery energy | 151µJ |
| Общая рассеиваемая мощность | 283W |
| Vce sat test conditions | VGE=15V, IC=40A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 25µA |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Pulsed collector current | 160A |
| Reverse recovery current | 21.6A |
| Turn on switching energy | 456µJ |
| V br ces test conditions | VGE=0V, IC=2mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Switching test conditions | VCE=400V, IC=40A, RG=10Ω, VGE=15V, inductive load |
| Turn off switching energy | 411µJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 7V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 5V |
| Тип. пороговое Uзи | 6V |
| Условия теста емкости | VCE=25V, VGE=0V, f=1MHz |
| Gate charge test conditions | VCC=480V, IC=40A, VGE=15V |
| Gate emitter leakage current | ±250nA |
| Испытательное напряжение изоляции | 3.5kV |
| Package dimensions reference | TO-247 drawing in datasheet |
| Обратная проходная емкость | 180pF |
| Описание (англ.) | IGBT 600V 80A 283W TO247 |
| Continuous forward current 25c | 80A |
| Continuous forward current 100c | 40A |
| Continuous collector current 25c | 80A |
| Continuous collector current 100c | 40A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.53°C/W |
| Thermal resistance junction case diode | 1.14°C/W |
| Peak rate fall reverse recovery current | 1363A/µs |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.3V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 1.8V |
| Collector emitter saturation voltage 125c | 2.15V |
| Collector emitter saturation voltage 175c | 2.35V |
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 80 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?