+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STGW30V60DF
Документация

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт

Артикул:808200
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
180 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:180 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1286,91
от 9269,72
от 17255,73
от 30245,31
от 90237,56
Описание

Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 600 В и ток до 60 А при мощности 258 Вт. Выполнен в прочном корпусе TO-247. Подходит для применения в силовых преобразователях, промышленной автоматике и электроприводах.

Технические характеристики
Qg163nC
Icp120A
Ifp120A
Qgc72nC
Qge28nC
Cies3750pF
Coes120pF
Cres77pF
Vces600V
RthJA50°C/W
Ic 25c60A
If 25c60A
Tf 25c19ns
Макс. Tj175°C
Tj мин.-55°C
Tr 25c16ns
Eon 25c383μJ
Err 25c104μJ
Ets 25c616μJ
Ic 100c30A
If 100c30A
КорпусTO-247
Qrr 25c384nC
Tf 175c32ns
Tr 175c17ns
Trr 25c53ns
Vge max±20V
Eoff 25c233μJ
Eon 175c794μJ
Err 175c407μJ
Ets 175c1172μJ
Ices max25μA
Iges max250nA
Irrm 25c14.5A
Тип монтажаВыводной
Ptot 25c258W
Qrr 175c1352nC
Trr 175c104ns
Макс. Tstg150°C
Мин. Tstg-55°C
Eoff 175c378μJ
Irrm 175c26A
Td on 25c45ns
Rthjc igbt0.58°C/W
Td off 25c189ns
Td on 175c42ns
Vge th max7V
Vge th min5V
Vge th typ6V
ОписаниеTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
АртикулSTGW30V60DF
Rthjc diode2.08°C/W
Td off 175c193ns
ПрименениеPhotovoltaic inverters, Uninterruptible power supply, Welding, Power factor correction, Very high frequency converters
Di dt on 25c1500A/μs
Di rr dt 25c788A/μs
Di dt on 175c1337A/μs
Di rr dt 175c310A/μs
Vf max 30a 25c2.6V
Vf typ 30a 25c2V
Vf typ 30a 125c1.7V
Vf typ 30a 175c1.6V
Vce sat max 30a 25c2.3V
Vce sat typ 30a 25c1.85V
Vce sat typ 30a 125c2.15V
Vce sat typ 30a 175c2.35V
Тип упаковкиTube (туба)
Описание (англ.)IGBT 600V 60A 258W TO247

Заметили ошибку в описании или параметрах?