Документация
Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
26 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:26 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 329,35 |
| от 3 | 324,59 |
| от 5 | 318,30 |
| от 10 | 309,10 |
| от 20 | 294,14 |
Описание
Транзистор IGBT N-канального типа от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 650 В и ток до 40 А при мощности 168 Вт. Компонент выполнен в прочном корпусе TO-247, что обеспечивает эффективный отвод тепла. Подходит для применения в силовых блоках питания, преобразователях частоты и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | HB |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Кол-во выводов | 3+Tab |
| Технология | Trench gate field-stop |
| Артикул | STGW20H65FB |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип транзистора | IGBT N-channel |
| Current fall time | 20ns |
| Current rise time | 11ns |
| Вх. емкость | 2764pF |
| Полный заряд затвора | 120nC |
| Выходная емкость | 80pF |
| Время задержки включения | 30ns |
| Gate emitter charge | 20nC |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Время задержки выключения | 139ns |
| Current fall time 175 | 38ns |
| Current rise time 175 | 12ns |
| Gate collector charge | 50nC |
| Turn on current slope | 1400A/µs |
| Total switching energy | 247µJ |
| Turn on delay time 175 | 29ns |
| Turn off delay time 175 | 147ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 25µA |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Pulsed collector current | 80A |
| Turn on switching energy | 77µJ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 650V |
| Switching test conditions | VCE=400V, IC=20A, RG=10Ω, VGE=15V |
| Turn off switching energy | 170µJ |
| Turn on current slope 175 | 1352A/µs |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 7V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 5V |
| Тип. пороговое Uзи | 6V |
| Total switching energy 175 | 441µJ |
| Gate emitter leakage current | 250nA |
| Испытательное напряжение изоляции | 3.5kV |
| Обратная проходная емкость | 60pF |
| Turn on switching energy 175 | 88µJ |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 650V 40A 168000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| Total power dissipation tc 25 | 168W |
| Turn off switching energy 175 | 353µJ |
| Рабочая температура перехода | -55 to 175°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.9°C/W |
| Continuous collector current tc 25 | 40A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 650V |
| Continuous collector current tc 100 | 20A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
| Collector emitter saturation voltage 125 | 1.65V |
| Collector emitter saturation voltage 175 | 1.75V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.00V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 1.55V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?