Документация
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
128 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:128 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 389,40 |
| от 4 | 376,65 |
| от 7 | 364,35 |
| от 14 | 354,58 |
| от 30 | 349,21 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на ток 21 А и напряжение 600 В при мощности 140 Вт. Выполнен в прочном корпусе TO-247, поддерживает частоту переключения до 50 кГц. Подходит для импульсных источников питания, сварочных инверторов и силовой промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Маркировка | GW19NC60HD |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Макс. частота | 50kHz |
| Current fall time | 73ns |
| Current rise time | 7ns |
| Вх. емкость | 1180pF |
| Полный заряд затвора | 53nC |
| Выходная емкость | 130pF |
| Время задержки включения | 25ns |
| Gate emitter charge | 10nC |
| Время задержки выключения | 97ns |
| Gate collector charge | 23nC |
| Turn on current slope | 1600A/µs |
| Total switching energy | 274µJ |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 5S |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Pulsed collector current | 60A |
| Turn on switching energy | 85µJ |
| Тип. прямое напряжение диода | 2.6V |
| Diode rms forward current | 20A |
| Turn off latching current | 40A |
| Turn off switching energy | 189µJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.75V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.75V |
| Turn off voltage rise time | 27ns |
| Diode reverse recovery time | 31ns |
| Total power dissipation 25c | 140W |
| Макс. ток отсечки коллектора | 150µA |
| Обратная проходная емкость | 36pF |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 600V 42A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| Макс. напр. К-Э | 600V |
| Diode reverse recovery charge | 30nC |
| Diode reverse recovery current | 2A |
| Continuous collector current 25c | 21A |
| Gate emitter leakage current max | ±100nA |
| Continuous collector current 100c | 21A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
| Неповторяющийся импульсный прямой ток | 50A |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.9°C/W |
| Thermal resistance junction case diode | 3°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.5V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 1.8V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?