Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
3 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,58 |
| от 13 | 60,15 |
| от 25 | 58,13 |
| от 50 | 55,11 |
| от 100 | 51,26 |
Описание
STMicroelectronics предлагает биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) STGP8NC60KD. Компонент рассчитан на напряжение 600 В и ток 8 А, что делает его подходящим для силовой электроники. Модель оптимизирована для работы в импульсных источниках питания и преобразователях частоты, обеспечивая низкие потери при переключении.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | PowerMESH |
| Описание | 600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT |
| Артикул | STGP8NC60KD |
| Current fall time | 82ns |
| Current rise time | 6ns |
| Вх. емкость | 380pF |
| Полный заряд затвора | 19nC |
| Выходная емкость | 46pF |
| Время задержки включения | 17ns |
| Gate emitter charge | 5nC |
| Время задержки выключения | 72ns |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Gate collector charge | 9nC |
| Off voltage rise time | 33ns |
| Turn on current slope | 655A/µs |
| Gate threshold voltage | 4.5 to 6.5V |
| Total switching losses | 140µJ |
| Total dissipation tc 25 | 65W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Current fall time tc 125 | 136ns |
| Current rise time tc 125 | 6.5ns |
| Прямая крутизна | 1.9S |
| Pulsed collector current | 30A |
| Turn on switching losses | 55µJ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Turn off latching current | 30A |
| Turn off switching losses | 85µJ |
| Turn on delay time tc 125 | 16.5ns |
| Turn off delay time tc 125 | 106ns |
| Diode reverse recovery time | 23.5ns |
| Gate emitter leakage current | ±100nA |
| Off voltage rise time tc 125 | 60ns |
| Обратная проходная емкость | 8.5pF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Turn on current slope tc 125 | 575A/µs |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Diode forward on voltage if 3 | 1.6V |
| Diode reverse recovery charge | 16.5nC |
| Total switching losses tc 125 | 249µJ |
| Diode reverse recovery current | 1.4A |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Diode rms forward current tc 25 | 7A |
| Turn on switching losses tc 125 | 87µJ |
| Turn off switching losses tc 125 | 162µJ |
| Collector cut off current vce 600 | 150µA |
| Collector current continuous tc 25 | 15A |
| Diode reverse recovery time tc 125 | 39ns |
| Collector current continuous tc 100 | 8A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Diode forward on voltage if 3 tc 125 | 1.3V |
| Diode reverse recovery charge tc 125 | 39nC |
| Неповторяющийся импульсный прямой ток | 20A |
| Diode reverse recovery current tc 125 | 2A |
| Thermal resistance junction case igbt | 1.9°C/W |
| Thermal resistance junction case diode | 4°C/W |
| Collector cut off current vce 600 tc 125 | 1mA |
| Collector emitter saturation voltage vge 15 ic 3 | 2.2V |
| Collector emitter saturation voltage vge 15 ic 3 tc 125 | 1.8V |
| Ток, А | 8 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?