Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 56 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
235 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:235 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 45,21 |
| от 16 | 44,03 |
| от 31 | 42,40 |
| от 50 | 39,97 |
| от 150 | 37,05 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 600 В и ток до 15 А при мощности 56 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и схем управления электродвигателями в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | STGP6NC60HD |
| Описание | N-channel 600 V, 7 A, very fast PowerMESH IGBT |
| Current fall time | 100ns |
| Current rise time | 5ns |
| Вх. емкость | 205pF |
| Полный заряд затвора | 13.6nC |
| Выходная емкость | 32pF |
| Время задержки включения | 12ns |
| Gate emitter charge | 3.4nC |
| Время задержки выключения | 76ns |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Gate collector charge | 5.1nC |
| Off voltage rise time | 40ns |
| Turn on current slope | 612A/µs |
| Total dissipation tc25 | 62.5W |
| Total switching energy | 88µJ |
| Current fall time tc125 | 124ns |
| Current rise time tc125 | 4.3ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 10µA |
| Diode forward on voltage | 1.6V |
| Pulsed collector current | 21A |
| Turn on delay time tc125 | 13ns |
| Turn on switching energy | 20µJ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Turn off delay time tc125 | 98ns |
| Turn off switching energy | 68µJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.75V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.75V |
| Diode reverse recovery time | 21ns |
| Off voltage rise time tc125 | 60ns |
| Turn on current slope tc125 | 560A/µs |
| Diode forward on voltage max | 2.1V |
| Gate emitter leakage current | ±100nA |
| Обратная проходная емкость | 5.5pF |
| Total switching energy tc125 | 130µJ |
| Описание (англ.) | IGBT 600V 15A 56W TO220 |
| Diode reverse recovery charge | 14nC |
| Collector cutoff current tc125 | 1mA |
| Diode forward on voltage tc125 | 1.3V |
| Diode reverse recovery current | 1.36A |
| Diode rms forward current tc25 | 10A |
| Turn on switching energy tc125 | 37µJ |
| Turn off switching energy tc125 | 93µJ |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2°C/W |
| Continuous collector current tc25 | 15A |
| Diode reverse recovery time tc125 | 34ns |
| Continuous collector current tc100 | 7A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Diode reverse recovery charge tc125 | 32nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9V |
| Diode reverse recovery current tc125 | 1.88A |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.5V |
| Collector emitter saturation voltage tc125 | 1.7V |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?