Документация
Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 653 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 653 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 255,04 |
| от 10 | 239,35 |
| от 20 | 226,57 |
| от 50 | 217,06 |
| от 100 | 209,98 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 600 В и ток до 21 А при мощности 130 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220. Подходит для применения в импульсных источниках питания и силовых преобразователях промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Маркировка | GP19NC60HD |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Артикул | STGP19NC60HD |
| Current fall time | 73ns |
| Current rise time | 7ns |
| Вх. емкость | 1180pF |
| Полный заряд затвора | 53nC |
| Выходная емкость | 130pF |
| Время задержки включения | 25ns |
| Gate emitter charge | 10nC |
| Время задержки выключения | 97ns |
| Gate collector charge | 23nC |
| Turn on current slope | 1600A/µs |
| Total switching energy | 274µJ |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 5S |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Pulsed collector current | 60A |
| Turn on switching energy | 85µJ |
| Тип. прямое напряжение диода | 2.6V |
| Diode rms forward current | 20A |
| Turn off latching current | 40A |
| Turn off switching energy | 189µJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.75V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.75V |
| Turn off voltage rise time | 27ns |
| Diode reverse recovery time | 31ns |
| Total power dissipation 25c | 130W |
| Макс. ток отсечки коллектора | 150µA |
| Обратная проходная емкость | 36pF |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Макс. напр. К-Э | 600V |
| Diode reverse recovery charge | 30nC |
| Diode reverse recovery current | 2A |
| Continuous collector current 25c | 40A |
| Gate emitter leakage current max | ±100nA |
| Continuous collector current 100c | 19A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Неповторяющийся импульсный прямой ток | 50A |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.95°C/W |
| Thermal resistance junction case diode | 3°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.5V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 1.8V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?